应用：用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级衬底键合的低温键合等离子体活化系统

一、简介

EVG810 LT （LowTemp™）低温键合等离子活化系统是一个单独的单腔室系统，具有手动操作功能。 处理室允许非原位处理（晶片一个接一个地活化并且键合在等离子体活化室外部）。

二、特征

用于低温键合的表面等离子体活化（熔合/分子和中间层键合）

任何晶圆键合机制的zui快动力学

无需湿法工艺

低温退火时的zui高键合强度（zui高400°C）

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和封装

高度的材料兼容性（包括CMOS）

三、参数

1.晶圆尺寸：50-200mm，100-300mm

2.低温等离子活化腔：

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用大流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）

真空系统：0.09 mbar

打开/关闭腔室：自动化

装载/卸载腔室：手动（晶圆/基板放置在装载销上）

3.备选功能：

用于不同的晶圆尺寸的夹头

金属离子活化

带有气体混合的附加工艺气体

带涡轮泵的高真空系统：0.009 mbar的基础气压

4.符合LowTemp™等离子活化键合的材料系统

Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）

TEOS / TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge

硅/Si3N4

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以针对上述内容和其他材料使用“已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）