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ST-DC2000_X 系列
可以测试 19大类27分类 的大中小功率的半导体分立器件及模块的静态直流参数，（测试范围包括Si（硅）/SiC（碳化硅）/GaN（氮化镓）材料的IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件）高压源2000V ，大电流源 50~1250A，分辨率可高至1mV / 10pA
支持曲线扫描图示功能，029-87309001/垂询Tel:173 -4295 -2894
产品介绍
ST-DC2000_X 系列·半导体特性测试仪 是我公司研发生产的一款经典产品，扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894
曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创*线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。
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支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。
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提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。
产品应用
应用领域
院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……
主要用途
测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）
失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）
选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）
来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）
量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）
技术规格
高压源
范围：±2.500mV~1000V（选配2000V）
分辨率：1mV
精度：1%+10mV
大电流源
范围：标配±1nA~50A（选配100A / 250A / 500A 750A / 1000A / 1250A）
分辨率：1nA /10pA（10pA加微电流选件）
精度：1%+10nA+20pA/V
控制极电压
范围：±2.500mV~20V（选配80V）
分辨率：1mV
精度：1%+5mV
控制极电流
范围：±1nA~10A（选配40A）
分辨率：10nA
精度：10nA+20pA/V
测试效率：0.5mS/1个参数
产品特点
测试范围广（通测19大类，27分类半导体器件，覆盖市面上常见的所有分立器件）
升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围
采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us
被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏
真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）
系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障
二极管极性自动判别功能，无需人工操作
IV 曲线追踪扫描及显示 / 局部放大
程序保护大电流/电压,以防损坏
具有品种繁多的IV曲线
可编程的数据点对应
增加线性或对数
可编程延迟时间可减少器件发热
保存和重新导入入口程序
保存和导入之前捕获图象
曲线图以及测试数据自动保存为EXCEL和TXT文本格式；
支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A
测试种类及参数
IGBT
ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS
MOSFET / MOS场效应管
IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS
J-FET / J型场效应管
IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF
晶体管（NPN/PNP）
ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF
DIODE / 二极管
IR；BVR ；VF
ZENER / 稳压、齐纳二极管
IR；BVZ；VF；ZZ
DIAC / 双向触发二极管
VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
OPTO-COUPLER / 光电耦合
ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)
RELAY / 继电器
RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME
TRIAC / 双向可控硅
VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-
SCR / 可控硅
IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH
STS / 硅触发可控硅
IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-
DARLINTON / 达林顿阵列
ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON
REGULATOR / 三端稳压器
Vout；Iin；
OPTO-SWITCH / 光电开关
ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF
OPTO-LOGIC / 光电逻辑
IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF
MOV / 金属氧化物压变电阻
ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；
SSOVP / 固态过压保护器
ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-
VARISTOR / 压变电阻
ID+； ID-；VC+ ；VC-
公司介绍
西安天光测控技术有限公司029-87309001 是一家专业从事半导体功率器件测试设备 研发、生产、销售的*。产品有半导体分立器件测试筛选系统。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的电参数及可靠性和老化测试。静态单脉冲（包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数）动态双脉冲（包括 Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg）Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。环境老化测试（包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等）热特性测试（包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等）各类全系列测试设备。广泛应用于半导体器件上游产业（设计、制造、封装、IDM厂商、晶圆、DBC衬板）和下游产业（院所高校、电子厂、轨道机车、新能源汽车、白色家电等元器件的应用端产业链）。
公司团队汇集了来自国内院校及电力电子行业的专家教授。拥有众多*的革命性创新技术。产品成熟可靠，久经市场考验，在替代进口产品方面有着突出的优势。公司从产品到服务，从技术咨询到现场支持，可覆盖功率器件的初始研发到规模化生产的整个领域。
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