雪崩能量测试仪-电子/半导体检测仪器

ST-DP_U(1200V200A)雪崩能量测试仪-电子/半导体检测仪器

参考价: ¥599

具体成交价以合同协议为准
2023-11-10 17:16:20
2473
属性:
产地:国产;加工定制:是;
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规格:
1200V200A;
>
产品属性
产地
国产
加工定制
关闭
雪崩能量测试仪-电子/半导体检测仪器

参考价: ¥599

1200V200A 599元 99 件 可售
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西安天光测控技术有限公司

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产品简介

雪崩能量测试仪 itc55100替代产品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量测试仪
单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ(VDS电压>600V条件下)
单脉冲雪崩电流 IAS 1A~500A(VDS 电压>600V 条件下)
单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW(VDS 电压>600V条件下)

详细介绍

产品系列
晶体管图示仪

半导体分立器件测试筛选系统

静态参数测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)

动态参数测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)

环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)

热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)

可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件


欢迎垂询:Tel:173 -4295 -2894


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ST-DP_U(1200V200A)

雪崩能量测试仪  itc55100替代产品

Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT



单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ(VDS电压>600V条件下)
单脉冲雪崩电流  IAS 1A~500A(VDS 电压>600V 条件下)


单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW(VDS 电压>600V条件下)
双脉冲雪崩**....................................................................................

         


雪崩能量测试仪  itc55100替代产品产品简述
     ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换,可测试各类封装外观的 IGBTs,MOSFETs,DIODEs等功率器件,包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计,根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT(双脉冲测试 Double Pulse Testing,以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性)栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案*符合IEC60747-9标准。

产品功能及输出功率进行了模块化设计,满足用户潜在的后期需求,*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA,变温测试支持常温到200℃,支持生产线批量化全自动测试。




产品特点

 测试系统电压以1500V为一个模块,电流以2000A为一个模块,可扩展至10KA/10KV

 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)

 另有程控式电感箱可供选择

 针对不同结构的封装外观,通过更换 DUT适配器即可

 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能

 测试软件具有实验模式和生产模式,测试数据可存储为Excel文件

 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH

 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用(24hr 工作)

 安全稳定(PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)

 系统具有安全工作保护功能,以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害,设计符合CE认证

 支持半自动和全自动测试

 采用品牌工控机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点

 自动化:单机测试时只需手动放置DUT,也可连接机械选件实现自动化测试线

 智能化,通过主控计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传局域网

 安全性,防爆,防触电,防烫伤,短路保护等多重保护措施,确保操作人员、设备、数据及样品安全。



参数指标




欢迎垂询:Tel:173 -4295 -2894














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