压变电阻测试仪-电子/半导体检测仪器

ST-DC2000_R压变电阻测试仪-电子/半导体检测仪器

参考价: ¥200

具体成交价以合同协议为准
2023-11-10 17:21:27
533
属性:
产地:国产;加工定制:是;
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规格:
±2.5mV~2KV / ±1nA~100A;
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产品属性
产地
国产
加工定制
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压变电阻测试仪-电子/半导体检测仪器

参考价: ¥200

±2.5mV~2KV / ±1nA~100A 200元 99 件 可售
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西安天光测控技术有限公司

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产品简介

压变电阻测试仪
可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数
(测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)
主极输出 2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA
MOV / 金属氧化物压变电阻 测试参数包括: ID+ ID-;VN+; VN-;VC+

详细介绍

产品系列

晶体管图示仪

半导体分立器件测试筛选系统

静态测试(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)

动态测试(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)

环境老化测试(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)

热特性测试(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)

可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

欢迎垂询:Tel:173 -4295 -2894



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压变电阻测试仪

ST-DC2000_R

可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数

(测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件)

主极输出 2000V / 50~1250A,分辨率*高至1mV / 10pA


MOV / 金属氧化物压变电阻 测试参数包括: ID+ ID-;VN+; VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
VARISTOR / 压变电阻 测试参数包括: ID+; ID-;VC+ ;VC-

支持曲线扫描图示功能



压变电阻测试仪


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 ♦ 产品应用

应用领域
适用于院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……
主要用途
⇒ 测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试)
失效分析(对失效器件进行测试,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 )
选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较*的器件进行分类配对)
来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
产线自动化测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

 ♦ 产品简述

      产品的扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。
      曲线追踪仪(晶体管图示仪)功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线,可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数,典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外, 针对多条曲线,设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快,更简洁的创*线(单击,双击,选择输入菜单,单击)。就是这么简单。
       设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力,在运行过程中,每个图表都是可视的,每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快,可进行数据记录,提供更高级的数据工具箱,能够运行多条曲线并自动排序,自动将数据存入 Excel 表格,具有缩放功能,光标重新运行功能以及其他许多优点。
      系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

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产品特点


Ø试范围广(19大类,27分类)

Ø级扩展性强,通过选件可提高电压电流,和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A

Ø用脉冲测试法,脉冲宽度为美军标规定的300us

Ø测器件引腿接触自动判断功能,遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏

Ø正的动态跨导测试。(主流的直流方法测动态跨导 ,其结果与器件实际值偏差很大)

Ø统故障在线判断修复能力,便于应急处理排障

Ø极管极性自动判别功能,无需人工操

ØIV 曲线显示 / 局部放大

Ø序保护*大电流/电压,以防损坏

Ø种繁多的曲线

Ø编程的数据点对应

Ø 增加线性或对数

Ø编程延迟时间可减少器件发热

Ø存和重新导入入口程序

Ø存和导入之前捕获图象

Ø线数据直接导入到 EXCEL

Ø线程序和数据自动存入 EXCEL
欢迎垂询:Tel:173 -4295 -2894

♦ 测试能力

序号测试器件测试参数
01IGBTICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;VGEON;VF;GFS
02MOSFET / MOS场效应管 IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS
03J-FET / J型场效应管IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;IDSS;GFS;VGSOFF
04晶体管(NPN/PNP)ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF
05DIODE / 二极管IR;BVR ;VF
06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR;BVZ;VF;ZZ
07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,
08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)
09RELAY / 继电器RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME
10TRIAC / 双向可控硅VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-
11SCR / 可控硅IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;IGT;VGT;IL;IH
12STS / 硅触发可控硅IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;VPK-;VGSW+;VGSW-
13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO;ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;BVCER;BVCEE;BVCES;BVCBO;BVEBO;hFE;VCESAT;VBESAT;VBEON
14REGULATOR / 三端稳压器Vout;Iin;
15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF
16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF
17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-;VN+;  VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;
18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、IH-;;IBO+ IBO-;VBO+  VBO-;VZ+  VZ-
19VARISTOR / 压变电阻ID+;  ID-;VC+   ;VC-


欢迎垂询:Tel:173 -4295 -2894













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