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晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894
美国 ITC替代品 大功率IGBT静态测试系统
（ENJ3020 IGBT静态参数测试系统）
ENJ—3020测试系统（以下简称系统）是西安天光测控技术有限公司推出的IGBT静态测试系统，该系统符合国家标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。
系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试，是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。
系统标准功率源为3500V/200A，电流可扩展至2000A。
系统的自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作，实现全自动化的智能测试，计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活，可*测试器件以及单个单元和多单元的模块测试。
系统采用品牌工控机，具有抗电磁*力强，排风量大等特点
系统安全稳定，PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁。
天光测控ENJ—3020测试系统中控制系统主要由计算机控制系统和PLC控制系统组成
计算机控制系统
计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元，设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态，数据采集等均由计算机完成。计算机
采用研华工业控制机，具有抗电磁*力强，排风量大等特点。
计算机中，装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块，NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡，具有三组数据端口，16/8个
模拟量输入端口，两个模拟量输出口、两个定时器计数器。
PLC控制系统
控制系统除工控机外，还采用了欧姆龙系列的PLC，PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制，并且与计算机进行通讯，完成了整个系
统的自动控制功能；PLC不仅控制开关的动作，而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控，并与硬件进行互锁，实现了可靠的安全控制功能。
针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统
大功率（IV可扩展至4500A，6000V）
自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作）
计算机记录测试结果，测试结果可转化文本或EXECL格式存储
采用品牌工控机，具有抗电磁*力强，排风量大等特点
测试方法灵活（可*测试器件以及单个和多单元的模块测试）
安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁）
天光测控ENJ—3020系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数：其测试范围如下：
1）栅极-发射极漏电流测试VGES、IGES
2）栅极-发射极阈值电压测试Vge（th）
3）集电极-发射极电压测试测试VCES、ICES
4）集电极-发射极饱和电压测试测试Vge（sat）、IC
5）二极管压降测试测试VF、IF
6）二极管反向可恢复直流电压测试VR、IR
外形尺寸和电源要求
尺 寸：800×800×1800（mm）
质 量：210kg
环境温度：15~40℃
工作电压：AC220V±10%无严重谐波
电网频率：50Hz±1Hz
通信接口： USB RS232
系统功耗： 380W
参数/条件
参数/条件 | ||||||
参 数 | ENJ 35200 IGBT | ENJ 30200 IGBT | ||||
静态参数自动测试系统 | 静态参数手动测试系统 | |||||
条 件 | ||||||
①栅极-发射极漏电流IGES | ||||||
IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA | ||||||
集电极电压VCE: 0V | ||||||
栅 极 电 压 VGE: 20V ±3%±0.2V | ||||||
②集电极-发射极电压BVCES | ||||||
集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V（选配） | ||||||
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA | 100-3500V±5%±10V | 100-3000V±5%±10V | ||||
栅 极 电 压 VGE: 0V | ||||||
③集电极发射极饱和电压VCESAT | ||||||
VCESAT:0.1-10V | ||||||
栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V | ||||||
集电极电流ICE: 10-200A±5%（选配） | 10-200A±5% | 10-200A±5% | ||||
④集电极-发射极截止电流ICES | ||||||
集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA | 100-3500V±5% | 100-3000V±5% | ||||
集电极电压VCE: 100-3500V±5%（选配） | ||||||
栅 极 电 压V G E : 0V | ||||||
⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH | ||||||
VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V | ||||||
VGE=VCE | ||||||
集电极电流ICE: 30mA±3% | ||||||
⑥二极管压降测试VF | ||||||
VF: 0.1-5V±3%±0.01V | ||||||
栅极电压VGE: 0V | ||||||
电 | 流 I F : 10-200A±5%（选配） | 10-200A±5% | 10-200A±5% | |||
导通电流 IC: 10-200A±5% | ||||||
栅极电压VGE:±15V±0.2V | ||||||
欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894
