详细介绍

离子研磨仪 IM4000II

咨询
打印

离子研磨仪 IM4000II

日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能，针对不同样品进行截面研磨。

特点
选配项
规格

特点

高效率的截面研磨

IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h^*1以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出截面样品。

*1: 在加速电压6 kV下，将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度

样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±30°
研磨时间：1小时

截面研磨时如果摆动的角度发生变化，加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外，其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后，可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说，能够对样品进行更快速的截面研磨。

样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±15°
研磨时间：1小时

复合型研磨仪

截面研磨

即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料，也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面
优化加工条件，降低因离子束所致样品的损伤
可装载20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品

截面研磨的主要用途

金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备
含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备
多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理

平面研磨

直径约为5mm范围内的均匀加工
应用领域广泛
可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品
可选择旋转和摆动（±60度，±90度的摆动）2种加工方法

平面研磨的主要用途

去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
去除样品表层部分
消除因FIB加工所致的损伤层

选配项

低温控制功能^*1

将液氮装入杜瓦罐中，以此作为冷却源间接冷却样品。IM4000Ⅱ配有温度调节控制功能，以防止树脂和橡胶样品过冷。

*1 需与主机同时订购。

常温研磨

冷却研磨（-100℃）

样品：减少塑料使用的功能性（纸质）隔离材料

真空转移功能

离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接转移到SEM^*1、AFM^*2上。真空转移功能与低温控制功能可同时使用。（平面研磨真空转移功能不适用低温控制功能）。

*1 仅支持带有真空转移交换仓的日立FE-SEM
*2 仅支持真空型日立AFM。

真空转移功能

观察加工过程的体式显微镜

右图为用于观察样品加工过程的体式显微镜。搭载了CCD相机的三目型显微镜能够在显示器上进行观察。也可配置双目型体式显微镜。

察加工过程的体式显微镜

规格

主要内容
使用气体	氩气
氩气流量控制方式	质量流量控制
加速电压	0.0 ～ 6.0 kV
尺寸	616(W) × 736(D) × 312(H) mm
重量	主机53 kg＋机械泵30 kg
截面研磨
研磨速度（Si材料）	500 µm/h^*1以上
样品尺寸	20(W）×12(D）×7（H）mm
样品移动范围	X±7 mm、Y 0 ～+3 mm
离子束间歇加工功能开启/关闭时间设定范围	1秒～ 59分59秒
摆动角度	±15°、±30°、±40°
广域截面研磨功能	-
平面研磨
加工范围	φ32 mm
样品尺寸	Φ50 X 25 (H) mm
样品移动范围	X 0～＋5 mm
离子束间歇加工功能开启/关闭时间设定范围	1秒～ 59分59秒
旋转速度	1 rpm、25 rpm
摆动角度	±60°、± 90°
倾斜角度	0 ～ 90°

*1 将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。

选配项

项目	内容
低温控制功能^*2	通过液氮间接冷却样品，温度设定范围：0°C ～－100°C
超硬遮挡板	使用时间约为标准遮挡板的2倍（不含钴）
加工过程观察用显微镜	放大倍数 15× ～ 100×　双目型、三目型（可装CCD）

*2 需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时，部分功能可能使用有限。

关联产品分类

场发射扫描电子显微镜 (FE-SEM)
扫描电子显微镜 (SEM)
透射电子显微镜 (TEM/STEM)

产品简介

详细介绍

离子研磨仪 IM4000II

特点

选配项

规格

特点

高效率的截面研磨

复合型研磨仪

截面研磨

截面研磨的主要用途

平面研磨

平面研磨的主要用途

选配项

低温控制功能*1

真空转移功能

观察加工过程的体式显微镜

规格

选配项

关联产品分类

低温控制功能^*1