配置概要：

 
1、 系统配有多个腔室：UHV蒸发室、UHV溅射室，load lock等，用于制备约瑟夫森结。

2、 电子束蒸发源：（4-6）x 15cc，6-15KW，2-10KV可调。

3、 溅射室配有多个磁控靶源，每个靶源有独立的挡板，配备独立气路。

4、 可以注入多种气体，进行氧化处理，并且可控制其压强。

5、 样品台可以适用于3英寸以上晶片，且具有样品台倾斜和旋转功能（三维转动）。 

6、 样品衬底在镀膜前可以通过离子枪进行清洁。

7、 主要真空腔真空度可达10-9-10-10 Torr。

8、 可以沉积几乎任何金属及氧化物薄膜。

9、 蒸镀厚度控制速度分辨率: 0.001nm/s 

10、 整个系统全自动控制，支持半自动和手动模式。

代表用户：*超导及量子器件研究实验室。