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2.Honeywell 621-6550 功率柜及功率单元

Honeywell 621-6550 本系统变频装置的变流回路由功率单元串联构成，每个功率单元采用二极管整流、电容平波、IGBT连成H桥输出的电压源结构，其主回路如上图所示。

对于大功率变频器而言，功率单元是设备的核心，也是需要重点解决的技术。

在大功率变频器的设计过程中，zui关注的有两个参数，一是电压，二是电流。

1）电压

对于多电平串联的变频器而言，系统电压等级相同时，不管电机功率大小，采用的串联级数是相同的。对于此设备而言，采用9级模块串联，模块输入电压为700V。

2）电流

由于Honeywell 621-6550 综合了GTO和MOSFET的优点，既具有大电流、低饱和压降,又具有高输入阻抗、驱动简单和开关频率高等优点,特别适合于中高频、中大功率应用。

招标方压缩机电动机的额定电流高，针对如此大电流，IGBT的选型非常关键。

由于单只IGBT芯片的通流能力有限，大功率产品通常采用IGBT并联来提高输出电流能力。IGBT本身具有正温度系数，具有自均流能力，适合并联：

为了保证此设备的可靠性，我们放大了设计裕量，电路上采用多只IGBT并联，从而达到招标方的技术要求。

IGBT并联时，主电路的结构会造成线路感抗差异，这些感抗的不同将严重影响IGBT的动态工作特性，为此公司研发了对称型主电路结构，达到了良好的均流特性。

   为实现并联IGBT的动态均流和静态均流，我公司并联一起使用的 IGBT均选用同一批次，以降低不同IGBT及反并联二极管静/动态参数对均流影响。这些影响包括IGBT的饱和压降Vce(sat)、反并联二极管的正向压降Vf对静态均流效果的影响；IGBT的跨导gfs和栅极－发射级阈值电压Vge_th、反并联二极管的反向恢复特性对动态均流效果的影响。

   在驱动电路方面，并联IGBT的门极驱动电压Vge的大小主要影响并联IGBT的静态均流，而门极驱动信号的变化率、门极驱动电阻Rg、驱动线路的布局和感抗等参数则对并联IGBT的动态均流有很大的影响。因此我公司针对IGBT并联开发了的驱动电路，确保IGBT并联的实现。

在特大功率变频器中，发热功率密度远大于常规变频器，采用常规的散热结构无法满足高密度散热的需要。为此我们采用特殊的散热结构及布局设计，提高散热功率密度，优化热场分布，以避免IGBT结温过高导致器件损坏。

Honeywell 621-6550 开关时在母排寄生电感上产生的尖峰电压是造成IGBT损坏的一个主要原因。该电压正比于工作电流、寄生电感、反比于IGBT动作时间。由于IGBT动作时间在不同电流下变化很小，在设备电流增大时，尖峰电压将随之等比例增加。在电流较小时，通过简单的设置吸收电容等方法就能够有效地抑制尖峰电压，但在电流很大时，传统的技术手段将不足以把尖峰电压抑制在器件允许的范围之内，需要对各相关部分进行认真、细致、科学的优化。

针对以上问题经过多年的研究，目前公司的并联型产品已大量应用于客户现场，并取得了良好的应用记录。

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