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考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源 KDC 系列 镀膜机
面议KRI 射频离子源 RFICP 系列 镀膜机
面议上海伯东代理考夫曼离子源 KDC 160
¥840000上海伯东代理 KRI 考夫曼离子源 KDC 100
¥624000上海伯东代理 KRI 考夫曼离子源 KDC 40
¥480000上海伯东代理 KRI 考夫曼离子源 KDC 10
¥420000上海伯东代理美国进口考夫曼离子源 KDC 75
¥600000伯东代理KRI考夫曼离子源 Gridded KDC 系列
¥400000上海伯东代理射频离子源 RFICP 380
¥1920000因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
射频离子源型号 | RFICP380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响.
KRI 离子源的功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生