其他品牌 品牌
代理商厂商性质
国外所在地
射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000价格电议
KRI 考夫曼离子源 KDC 100
上海伯东代理美国* KRI 考夫曼
离子源 KDC 100 中型规格栅极离子源, 广泛加装在薄膜沉积大批量生产设备中, 考夫曼离子源 KDC 100 采用双阴极灯丝和自对准栅极, 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 100 技术参数:
型号 | KDC 100 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 2 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | , 自对准 |
-栅极直径 | 12 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 9.25' |
- 直径 | 7.6' |
- 离子束 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 8-36” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 100 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRI 考夫曼
离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生