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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000价格电议
KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国* KRI 考夫曼离子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列大,离子能量的栅极离子源, 适用于已知的所有离子源应用, 离子源 KDC 160 高输出设计,大电流超过 1000 mA. 无需水冷, 降低安装要求并排除腔体漏水的几率, 双阴极设计,标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数
型号 | KDC 160 |
供电 | DC magnetic confinement |
- 阴极灯丝 | 2 |
- 阳极电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
- 栅极 | , 自对准 |
-栅极直径 | 16 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安装 | 移动或快速法兰 |
- 高度 | 9.92' |
- 直径 | 9.1' |
- 离子束 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 |
-安装距离 | 8-45” |
- 自动控制 | 控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 160 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
KRI 考夫曼
离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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