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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000考夫曼射频离子源溅射沉积立方氮化硼薄膜
¥300000KRi 射频离子源应用于IBE 离子束蚀刻系统
¥300000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000价格电议
美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列
上海伯东美国*考夫曼
离子源 KDC 系列, 加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 增强设计输出高质量,稳定的电子流.
美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼
离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼离子源, 电子中和器, 电源供应器等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如实验室小型研发, 镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机和线性镀膜.
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 特性:
通过加热灯丝产生电子
低电流高能量宽束型离子源
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 应用:
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
溅镀&蒸镀 PC
表面改性, 激活 SM
沉积 DD
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:
型号 | KDC10 | KDC40 | KDC75 | KDC100 | KDC160 |
电压 | DC magnetic confinement | ||||
- 阴极灯丝 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 |
- 阳极电压 | 0-100V DC | ||||
电子束 | 电子束 | ||||
- 栅极 | ,自对准 | ||||
- 栅极直径 | 1 cm | 4 cm | 7.5 cm | 12 cm | 16 cm |
中和器 | 灯丝 | 灯丝 | 灯丝 | 灯丝 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1202 | KSC 1202 | KSC 1212 或 KSC 1202 | KSC 1212 | KSC 1212 |
配置 | - | ||||
- 阴极中和器 | LFN 1000 | LFN 1000 | LFN 2000 | LFN 2000 | LFN 2000 |
- 高度 | 4.5' | 6.75' | 7.9' | 9.25' | 9.92' |
- 直径 | 1.52' | 3.5' | 5.5' | 7.6' | 9.1" |
- 离子束方向 | 聚焦 平行 散设 | 聚焦 平行 散设 | 聚焦 平行 散设 | 聚焦 平行 散设 | 聚焦 平行 散设 |
-加工材料 | 金属 电介质 半导体 | 金属 电介质 半导体 | 金属 电介质 半导体 | 金属 电介质 半导体 | 金属 电介质 半导体 |
-工艺气体 | 惰性 活性 混合 | 惰性 活性 混合 | 惰性 活性 混合 | 惰性 活性 混合 | 惰性 活性 混合 |
-安装 | 2-12” | 6-18” | 6-24” | 8-36” | 8-45” |
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列, 栅极灯丝型离子源, 通过加热灯丝产生电子, 提供低电流高能量离子束. 离子束可选聚焦,平行, 散设三种方式, KDC 系列离子源适用于离子溅镀和蒸发镀膜 PC, 辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 离子溅射沉积和多层结构 IBSD, 离子蚀刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
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上海伯东 : 罗先生 中国台湾伯东 : 王小姐