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射频离子源RFICP380溅射制备微晶硅薄膜
¥360000KRi 离子源电子束蒸发系统辅助镀膜应用
¥300000考夫曼离子源成功用于多靶磁控溅射镀膜机
面议考夫曼离子源 RFICP220 溅射沉积钛金属薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380镀制红外器件ZnS薄膜
¥360000KRI离子源RFICP140溅射沉积半导体IGZO薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP220溅射沉积ZnNi合金薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380制备IFBA芯块ZrB2涂层
¥360000KRI 考夫曼射频离子源RFICP140制备NGZO薄膜
¥360000考夫曼射频离子源RFICP220制备富硅SiNx薄膜
¥360000考夫曼离子源溅射多层沉积Nb3Sn超导薄膜
¥360000考夫曼离子源RFICP380溅射沉积NSN70隔热膜
¥360000价格电议
考夫曼离子源 RFICP 380 特性:
1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配
2. 离子源结构模块化设计
3. 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
4. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
5. 中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
6. 通气 Ar, O2, N2, others
7. 离子束流: 电流: > 500毫安, 能量 100-1200eV
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产
考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.
考夫曼离子源 RFICP 380 技术参数
型号 | RFICP 380 |
放电腔 Discharge | 射频 |
大功率 | >1kW |
大离子束电流 | >1000mA |
电压 | 100-1500V |
气体 | 惰性和活性 |
流量 | 5-50sccm |
真空度 | < 0.5mTorr |
离子光学(自适应) | OptiBeamTM |
离子束直径@ grids | 38cm Φ (maximum) |
栅极材质 | 钼 |
离子束形状 | 平行. 聚焦, 发散 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 15” (38.1cm) |
直径 | 22.9” (58.2cm) |
Feedthrough direct | 12”CF |
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