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KRI 霍尔离子源 eH 3000

上海伯东代理美国* KRI 霍尔离子源 eH 3000 适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上高效, 提供高离子束流的离子源.

尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”

放电电压 / 电流: 50-300V / 20A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷却
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数

型号	eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
供电	DC magnetic confinement
- 电压	50-250V VDC
- 离子源直径	~ 7 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-25020A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45° (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	4.0'
- 直径	5.7'
- 加工材料	金属电介质半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	16-45”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架;

KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域

溅镀和蒸发镀膜 PC

辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD

表面改性, 激活 SM

直接沉积 DD

霍尔离子源 Gridless 提供高电流低能量 end-Hall 系列产品, 包含宽束霍尔离子源和电源控制器, 整体设计, 易于系统集成, 霍尔离子源典型应用: 辅助镀膜 IABD, 镀膜预清洁 ISSP, 离子蚀刻等

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产

考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

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上海伯东 : 罗先生中国台湾伯东 : 王小姐

产品简介

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