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● 适用 2 - 8 inch 晶圆,156mm × 156mm 太阳能硅片
● 可适用于多孔,通孔,高深宽比样品(可达 1 : 2500)
● 工艺温度:50 - 500℃
● Advance 型号配有等离子处理系统,工艺温度 450℃(可选配特定chuck盘至 650℃)
● 适用镀膜种类:Al2O3,TiO2,SiO2,Ta2O5,HfO2,ZnO,ZrO2,AlN,TiN,Pt,Ir 等
● 手动上料,可选配机械臂,搬运机器人或 Cassette-to-Cassette 上料
● 前驱体种类:液体、固体、气体、臭氧源、等离子体等