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FBSOA1000晶体管正向偏置安全工作区测试系统
用于 Si , SiC , GaN , 材料的器件级和模块级
的IGBT , MOS-FET的正向偏置安全工作区测试
FBSOA和对应的IV曲线
ICE电流0~1000A
VCE电压0~100V。
VGE驱动电压0~30V
vF热敏电压≤5V
Pmax功率100KW.
脉宽10us~10ms，
柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机全自动程控 参考价￥650000 -
天光测控PN结电容特性测试仪
测试参数: 二极管、三极管、MOSFET、IGBT等半导体分立器件的栅电阻Rg、
输入电容Ciss、输出电容Coss、反馈电容Crss.
测量量程: 100 mΩ~100 MΩ, 10档量程（所有参数由Z规定）
基本精度: Z: 0.05 % rdg. θ: 0.03°（代表值，精度保证范围：1mΩ~200MΩ） 参考价￥248000 -
ST-DP_X（1200V200A）天光测控IGBT开关特性测试仪
天光测控IGBT开关特性测试仪ST-DP_X（1200V200A
用于 Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT开关时间参数测试，1200V/200A的输出能力，覆盖几乎所有的半导体分立式单管器件
029*8730*9001/155（9666）-8116欢迎垂询 参考价￥158000 -
ST-Thermal-Rth晶体管热阻测试系统-电子/半导体检测仪器
品牌：天光测控晶体管热阻测试系统
型号：ST-Thermal-Rth
测量范围：4000A/9V
测量精度：±0.1%set+0.4%FS
测试对象：IGBTs / DIODEs / MOSFETs等19种材料
欢迎垂询029*8730*9001 参考价￥248000 -
ST-DC2000_X半导体管特性图示仪-电子/半导体检测仪器
ST-DC2000_X半导体管特性图示仪显示半导体器件的各种特性曲线；测量半导体器件的静态参数；能在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数；晶体管双簇显示029-8730（9001）垂询 参考价￥248000 -
ST-DC2000_X半导体特性测试仪-伏安仪
半导体特性测试仪可测试2KV,100A以内的IGBT,MOSFET,Diode,三极管等半导体器件的直流参数，如漏电、阈值、击穿、压降、截止等。测试参数的同时还能生产IV曲线。 参考价￥253000 -
ST-DP_U（1200V200A）雪崩能量测试仪-电子/半导体检测仪器
雪崩能量测试仪 itc55100替代产品
Si/SiC/GaN 材料的 DIODE、MOSFET、IGBT雪崩能量测试仪
单脉冲雪崩能量 EAS 1uJ~5000mJ（VDS电压＞600V条件下）
单脉冲雪崩电流 IAS 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）
单脉冲雪崩功率 PAS 1W~600KW（VDS 电压＞600V条件下） 参考价￥599 -
ST-DC2000_X直供功率器件综合测试系统-半导体检测仪器
直供功率器件综合测试系统
应用领域 院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、
新能源汽车、轨道机车检修等 参考价￥200 -
ST-DP_X（1500V600A）IGBT动态参数测试系统-电子/半导体检测仪器
替代ITC57300的IGBT动态参数测试系统
用于测试 Diode, IGBTs,MOSFETs等分立器件动态交流参数测试
1500V/600A，短路电流2500A 参考价￥599 -
ST-Thermal_Zth（ja/jc）半导体检测瞬态热阻抗测试仪
半导体检测瞬态热阻抗测试仪
可测试 Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件的热特性
包括 功率循环·秒级&分钟级/Pcsec&PCmin，被动循环/TC，热阻（抗）/Rth/Zth，K曲线/Kcurve 参考价￥200 -
ST-DP_Q（1200V100A）MOSFET动态参数测试仪-电子/半导体检测仪器
天光测控可测量的MOSFET动态参数测试仪
用于MOSFET&IGBT栅极电荷门极电荷Qg参数测试
阈值电荷 Qg（th） 1nC~5000nC（支持 0.1nC 的*小测量值，*高可至 0.01nC）
栅电荷 Qg 1nC~5000nC（支持 0.1nC 的*小测量值，*高可至 0.01nC）
平台电压 VgP 0V~10V 参考价￥599 -
ENJ3020天光测控IGBT测试仪-电子/半导体检测仪器
莱姆IGBT测试系统替代品天光测控IGBT测试仪
适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试，是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。 参考价￥200