分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

ST-AC1200_X分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

参考价: ￥599
具体成交价以合同协议为准
2023-11-10 17:28:30
954
属性：
产地:国产；加工定制:是；
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规格：
ST-AC1200_X;
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产品属性
产地
国产
加工定制
是
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分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

参考价: ￥599

ST-AC1200_X 599元 99 台 可售
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西安天光测控技术有限公司

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产品简介

分立器件测试仪MOSFET动态参数测试
用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数
1200V/100A，短路电流2500A
替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300

详细介绍

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分立器件测试仪MOSFET动态参数测试

用于测试器件级的 Diode,IGBT,MOSFET动态交流参数

1200V/100A，短路电流2500A


替代ITC57300，多项功能及指标优于ITC57300

欢迎垂询：Tel:173 -4295 -2894




♦ 技术规格

基础能力

  1. *大输出能力：电压1200V电流200A

  2. *小时间测量值：0.1ns

  3. Windows系统的控制计算机水印签字*西安天光测控*水印签字

  4. LabVIEW软件界面水印签字*西安天光测控*水印签字

物理规格

  1. 单机尺寸：800×800×1800mm水印签字*西安天光测控*水印签

  2. 质 量：165千克  水印签字*西安天光测控*水印签字

  3. 系统功耗：200w

ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元
美军标750
方法为3472

  1. 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs

  2. 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V

  3. 栅极电流*大10A水印签字*西安天光测控*水印签字

  4. 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）

  5. 占空比小于0.1%水印签字*西安天光测控*水印签字

  6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V

                                100 V~1200V分辨率1.0V
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元
美军标750
方法3473

  1. IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率

                            50~200A@0.5A分辨率

  1. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  2. VR/反向电压：20~1200V

  3. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。

  4. 占空比：＜1.0%水印签字*西安天光测控*水印签字

  5. TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us

  6. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                               100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC

ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元    
美军标750，
方法3471

  1. 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率

  2. 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率

  3. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率

  4. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

  5. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

                        100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477

  1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

  3. 电感：0.1mH至159.9mH（外挂）

  4. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479

  1. *大电流：标配200A（选配1000A）

  2. 脉宽：1us~100us

  3. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元
JEDEC Std
JESD24-11

  1. Rg/栅电阻：0.1~100Ω水印签字*西安天光测控*水印签字

  2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏极偏置电压：1200V*大

  4. 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 频率：标配0.1MHZ~1MHZ

电网环境

  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。水印签字*西安天光测控*水印签字


主要用于测试二极管、IGBT、MOS动态特性参数，产品功能指标对标ITC57300,对标资料如下。

资料说明：

  MOSFET动态参数测试仪 以ITC57300作为参考标准，西安天光的产品资料中“蓝色字体”为西安天光的减分项（指标低于ITC57300），“红色字体”为西安天光的加分项（指标高于ITC57300），“黑色字体”表示双方指标*。

美国ITC公司
ITC57300		西安天光测控技术有限公司
ST-AC1200_X
基础能力

  1. *大输出能力：电压1200V电流200A

  2. *小时间测量值：1.0ns

  3. Windows系统的控制计算机

  4. LabVIEW软件界面

  5. 水印签字*西安天光测控*水印签字

物理规格

  1. 高=76英寸

  2. 宽=44英寸(包括显示器和键盘)

  3. 深=50英寸(包括接收器)

  4. 重=550磅

ITC57210开关时间（阻性）
测试单元		美军标750
方法为3472

  1. 脉宽：0.1µs~10µs 步进0.1µs

  2. 栅极电压±20V分辨率0.1V

  3. 栅极电流*大1.0A

  4. 漏极电流*大200A

  5. 占空比小于0.1%

  6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V

         100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57220反向恢复
特性测试单元		美军标750
方法3473

  1. IF/正向电流：ITC5722B：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  4. VR/反向电压：20~1200V

  5. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。

  6. 占空比：＜1.0%

  7. TRR/反向恢复时间范围：10ns~2.0us

  8. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢复电荷：1nc~100uC

  2. 水印签字*西安天光测控*水印签字

ITC57230栅电荷
测试单元		美军标750
方法3471

  1. 栅极电流：低0~2.0mA@0.01mA分辨率

中2.0~20.0mA@0.1mA分辨率

  • 20.0~200.0 mA@1.0mA分辨率

  1. 栅电压范围：±20V@±0.1V分辨率

  2. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率

  3. 分辨率

  4. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57240开关时间（感性）
测试单元		美军标750
方法3477

  1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. 电感：0.1mH至159.9mH

  4. 栅极电压：±20V@0.1V分辨率

  5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

  7. 水印签字*西安天光测控*水印签字

ITC57250短路特性
测试单元		美军标750
方法3479

  1. *大电流：1000A

  2. 脉宽：1us~100us

  3. 栅驱电压：±20V@0.1V分辨率

  4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ITC57260栅电阻结电容
测试单元		JEDEC Std

JESD24-11

  1. Rg/栅电阻：0.1~50mΩ

  2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏极偏置电压：1200V*大

  4. 栅极偏置电压：±20V

  5. 频率：0.1MHZ~4MHZ

电网环境

  1. 220V 50~60 Hz单相  可选择240V

  2. 220V/12A  20A  30A

  3. 水印签字*西安天光测控*水印签字

基础能力

  1. *大输出能力：电压1200V电流200A

  2. *小时间测量值：0.1ns

  3. Windows系统的控制计算机

  4. LabVIEW软件界面

  5. 水印签字*西安天光测控*水印签字

物理规格

  1. 单机尺寸：800×800×1800mm

  2. 质 量：165kg

  3. 系统功耗：200w

ST-AC1200_S_R
开关时间（阻性）测试单元        
美军标750
方法为3472

  1. 脉宽：0.1us~100us步进0.1µs

  2. 栅极电压：0~20V，分辨率0.1V

  3. 栅极电流*大10A

  4. 漏极电流*大75A（支持扩展200A、500A）

  5. 占空比小于0.1%

  6. VDD/漏极电压  5V~100 V分辨率0.1V

              100 V~1200V分辨率1.0V
水印签字*西安天光测控*水印签字
ST-AC1200_D
反向恢复特性测试单元      
美军标750
方法3473

  1. IF/正向电流：0.1~50A@0.1A分辨率

50~200A@0.5A分辨率

  1. di/dt/反向电流斜率：25-600A/uS  1.0A/ns Steps

  2. VR/反向电压：20~1200V

  3. IRM/反向电流：总正向和反向*大电流200A以内。

  4. 占空比：＜1.0%

  5. TRR/反向恢复时间范围：1ns~2us

  6. VDD/漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps

  1. Qrr/反向恢复电荷：0.1nC~100uC

  2. 水印签字*西安天光测控*水印签字

ST-AC1200_Q
栅电荷测试单元  
美军标750，
方法3471

  1. 栅极电流：0~10mA@10uA分辨率

  2. 栅级电压：0~20V@0.1V分辨率

  3. 漏极电流（固态负载）：1~25A@0.1A分辨率水印签字*西安天光测控*水印签字

  4. 漏极电压：5V~100 V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
ST-AC1200_S_L
开关时间（感性）测试单元
美军标750，
方法3477

  1. 漏极电流：1.0~50A@0.2A分辨率

  2. 分辨率

  3. 电感：0.1mH至159.9mH（外挂）

  4. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 漏极电压：5V~100V，0.1V Steps

  6. ，1.0V Steps

  7. 水印签字*西安天光测控*水印签字

ST-AC1200_S
短路特性测试单元
美军标750，
方法3479

  1. *大电流：标配200A（选配1000A）

  2. 脉宽：1us~100us

  3. 栅极电压：0~20V@0.1V分辨率

  4. 漏极电压5V~100V，0.1V Steps

100V~1200 V，1.0V Steps
水印签字*西安天光测控*水印签字
ST-AC1200_RC
栅电阻结电容测试单元      

JEDEC Std

JESD24-11

  1. Rg/栅电阻：0.1~100Ω

  2. 结电容参数：Ciss，Coss，Crss

  3. 漏极偏置电压：1200V*大

  4. 栅极偏置电压：0~20V@0.1V分辨率

  5. 频率：标配0.1MHZ~1MHZ（¥3W）

  6. 0.1MHZ~4MHZ（¥15W）

水印签字*西安天光测控*水印签字
电网环境

  1. AC220V±10%，50Hz±1Hz。



其它测试功能（加分项）

  • 雪崩特性测试单元

  • EAS

  • IAS

  • PAS

  • di/dt测试单元

  • dv/dt测试单元

  • 静态参数测试单元（可测试IGBT、MOSFET、二极管的静态直流参数）

  • 安全工作区/RBSOA

  • 热阻（包括稳态热阻和瞬态热阻）






产品系列

晶体管图示仪

半导体分立器件测试筛选系统

静态参数（包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs等）

动态参数（包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA等）

环境老化（包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge等）

热特性（包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve等）

可测试 Si / SiC / GaN 材料的  IGBTs  /  MOSFETs  /  DIODEs  /  BJTs  /  SCRs等功率器件












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