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吉时利2611B:
电压分段量程:±200mV四档区间;
编程设置分辨率:100nV;面板显示分辨率:10nV;
源输出精度区间:±(0.02% 读数 + 对应档位偏移电压);
电压测量精度区间:±(0.015% 读数 + 对应档位偏移电压);
电压测量输入阻抗约 10GΩ,搭配屏蔽回路可降低寄生电容干扰;
阶跃负载变化下,输出瞬态恢复至 0.1% 误差区间的时长典型值低于 70μs;各量程输出稳定时间存在差异,200V 量程典型稳定时长低于 700μs。
电流量程分段覆盖:100fA~1.5A 直流区间、脉冲模式可拓展至 10A 区间;
电流编程分辨率:0.5fA;面板显示分辨率:100fA;
小电流档位噪声(0.1–10Hz 峰峰值)处于 fA 级区间,适合介质、栅极漏流采集;
各档位精度区分:pA/nA 档位误差为 ±(0.025% 读数 + 偏移电流),安培级档位误差小幅上浮;
脉冲最小可编程脉宽可设置至 100μs,脉冲输出具备占空比限制逻辑,规避长时间大电流持续输出;
输入压降维持较低水平,对高阻抗被测回路扰动程度较弱。
直流持续输出功率约 30.3W;脉冲瞬时输出功率可达到 100W 区间;
四象限全区间工作,任意电压、电流组合可切换源 / 负载两种工作状态。
可覆盖测量区间:500nΩ~100TΩ;
四线开尔文测试模式,适配薄膜电阻、绝缘介质、连接器阻抗检测;
常规电阻档位测量误差约 0.05%,超高阻档位误差会随阻抗上升小幅变化。
本地缓存读数采集速率可达 20000 组 / 秒;
数字化采集模式采样间隔 1μs,可捕捉器件浪涌、击穿瞬态电流波形;
双通道同步触发逻辑(多机级联状态下),多通道输出、采集时序偏移量较小;
内置存储缓存,可离线存储上千组测试采样点,支持后续批量导出分析。
数据总线:LXI‑C 局域网、IEEE488 GPIB、USB2.0 设备接口;机身前置 USB Host 端口,可外接 U 盘存储数据;
数字触发 IO:8 路可编程输入输出端口,输出电平适配自动化设备触发逻辑;
测量端子:四线 Kelvin 低噪声屏蔽输入端子,配套低寄生漏流测试线缆。
整机外形尺寸(宽 × 高 × 深):整机自重约 11.8kg;
供电适配:交流输入,整机功耗约 240VA;
预热时长:通电 30 分钟后,仪器测量数据贴合标称精度区间;
工作环境温度区间 0℃~50℃;存储温度区间‑20℃~70℃;机架安装需预留侧方通风空间;
合规标准:符合 EN61010 电气安全规范,EMC 满足 FCC B 类要求。
KickStart 图形化测试软件:无需编写代码,快速搭建 IV 扫描流程、生成曲线图表、导出 Excel 数据;
仪器内置网页远程控制,局域网内电脑浏览器可直接操作仪器功能;
开发环境,兼容标准 SCPI 指令集;
TSP 脚本开发工具:可编写循环扫描、档位自动切换、多步骤连续测试程序,仪器离线自主运行。
高压半导体器件性能表征:高压 MOS、稳压二极管、TVS、宽禁带器件反向击穿电压、关态漏流、阈值电压测试;
光电器件检测:雪崩光电二极管 APD、高压光电探测器反向偏置暗电流、光伏元件高压 IV/PV 特性扫描;
绝缘材料与无源元器件:电容介质薄膜、PCB 绝缘层、高压电阻、继电器关态绝缘阻抗长期监测;
功率器件瞬态测试:低压功率 MOS、LED 脉冲 IV 曲线,窄脉冲模式减少器件发热干扰;
材料科研测试:纳米薄膜、二维材料、压电元件高压激励搭配微电流同步采集。
2611B:单通道,电压覆盖至 200V 区间,直流 1.5A、脉冲 10A 输出,适合单器件高压独立测试;
2602B:双通道,电压 40V 区间,单通道直流 3A 输出,侧重低压大功率双引脚器件同步测试;
2614B:双通道,电压覆盖至 200V 区间,适配高压三端器件双通道同步栅极、漏极驱动测量。