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输出量程:±200 mV、±2 V、±20 V、±200 V
输出:±210 V
编程分辨率:5 μV
输出功率:单通道连续2.2 W
源精度:±(0.02% 读数 + 200 μV)
建立时间:满量程<100 ms
测量范围:1 μV ~ ±211 V
分辨率:1 μV(200mV 档)
输入阻抗:>10¹⁶ Ω(所有电压量程)
测量精度:±(0.012% 读数 + 100 μV)
四线 Sense 同步采样,消除引线压降误差
输出量程:±1 pA ~ ±100 mA 多档分段
输出电流:±100 mA
最小编程电流:0.5 fA
四象限双向源 / 阱,可吸收器件反向电流
| 量程 | 分辨率 | 1 年精度 ±(% 读数 + 偏移) | 典型噪声 |
|---|---|---|---|
| 1 μA~100 mA |
最小可测电流:10 aA(10⁻¹⁸ A)
建立时间:
1pA/10pA 档:<2 s
100pA~10nA:<50 ms
100nA 及以上:<5 ms
测量区间:1 μΩ ~ >20 TΩ(2×10¹³ Ω)
四线开尔文模式,消除测试线电阻
高阻档自动加压测流,适配绝缘、薄膜、介质材料
读数速率:2000 读数 / 秒(存入仪器内存)
GPIB 总线输出: 75 组源测数据 / 秒
内置缓存:可存储数千组 I-V 采样点,离线绘图分析
标配:IEEE488 GPIB、数字触发 IO(可编程输入输出,产线自动分选)
三轴低噪声输入接口(主机 + 远程前置放大器)
兼容 SCPI 指令,支持 LabVIEW、Python、C/C++ 自动化
远程前置放大器
尺寸:20×57×97 mm,连接线最长 2 m,三轴屏蔽防漏流
主机整机
外形(不含手柄):89 mm (H) × 213 mm (W) × 370 mm (D)
带手柄支脚:104×238×370 mm
整机重量:5.9 kg
供电:100~240 VAC 50/60 Hz, 100 VA
预热:1 小时达到标称精度
工作温度:0 ℃ ~ 40 ℃;存储 - 20~70 ℃
安全 / EMC:符合 EN61010、FCC Class B
半导体微电子测试
MOSFET 栅极漏电流、High-K 介质薄膜漏电、二极管反向饱和电流、单电子晶体管 SET、量子点微弱隧穿电流、模拟开关关态漏流。
光电器件暗电流测试
光电探测器、CCD、太阳能电池暗电流(nA/fA 级)、LED 反向偏置漏电。
高阻材料 / 绝缘表征
高分子聚合物、纳米线 / 碳纳米管、二维材料、陶瓷绝缘膜、PCB 绝缘电阻、电容器自放电漏流,测量 TΩ 级超高阻抗。
电化学与生物科研
微电极微弱氧化还原电流、细胞膜微电流、微量电荷检测。
器件可靠性老化
长期监测微小漏电漂移、介质击穿前预漏电检测。
6430:单通道、亚飞安小电流、200V 高压、2.2W、带分离前置放大器,侧重科研微弱漏流、超高阻;
2602B:双通道、 40V、每路 40W/10A 脉冲,侧重功率器件、MOS、LED 量产 IV 曲线,大电流脉冲测试。