PMST2210 igbt静态参数测试机igbt检测仪

功率器件静态测试系统简介   

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT，以及SiC第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、纳安级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、 输出电容、反向传输电容等。普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，配置有多种测量单元模块，模块化的设计测试方法灵活，能够极大方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。      

系统组成 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试夹具、工控机、上位机软件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与热流仪、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。  测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持3000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；蕞高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。系统标配C-V测试功能，支持Ciss/Coss/Crss参数及曲线测试，频率默认1MHz。

igbt静态参数测试机igbt检测仪特点 

高电压：支持高达3.5KV高电压测试；          
大电流：支持高达2KA大电流测试；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
模块化设计：内部采用模块化配置，可添加或升级测量单元；
测试效率高：可自动切换、一键测试；
温度范围广：支持常温、高温测试；
兼容多种封装：根据测试需求可定制夹具；

系统参数                                                                                                                                          

igbt静态参数测试机igbt检测仪测试项目

二极管：反向击穿电压V_R、反向漏电流I_R、正向电压V_F、 正向电流I_F、电容值C_d、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V_(BR)CEO、V_(BR)CBO、V_(BR)EBO、I_CBO、V_CE(sat)、VBE(sat)、I_C、I_B、C_eb、 增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V_(BR)DSS/V_(BR)CES、I_DSS/I_CES、V_CE(sat)、R_DS(on)、V_SD/V_F、V_GS(th)/、V_GE(th)、I_GSS/I_GES栅极内阻R_g、输入电容C_iss/C_ies、输出电容、C_oss/C_oes、反向传输电容C_rss/C_res、跨导g_fs、输出特性曲线、 转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：I_F、V_F、V_(BR)CEO、V_CE(sat)、I_CEO、I_R、输入电容C_T、输出电容C_CE、 电流传输比C_TR、隔离电容C_IO

测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。