PMST2210 igbt性能测试仪器失效分析等

普赛斯igbt性能测试仪器失效分析等，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外，测试主机可与探针台搭配使用，实现晶圆级芯片测试；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

测试主机内部采用的电压、电流测量单元，均采用多量程设计，测试精度为0.1%。其中，栅极-发射极，蕞大支持30V@10A脉冲电流输出与测试，可测试低至皮安级漏电流；集电极-发射极，蕞大支持6000A高速脉冲电流，典型上升时间为15μs，且具备电压高速同步采样功能；蕞高支持3500V电压输出，且自带漏电流测量功能。电容特性测试，包括输入电容，输出电容，以及反向传输电容测试，频率蕞高支持1MHz。

系统特点

高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；  
大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；
高精度：支持uΩ级导通电阻、纳安级漏电流测试；
丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；

测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供

整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。

测试项目

二极管：反向击穿电压VR、反向漏电流IR、正向电压VF、正向电流IF、电容值Cd、I-V曲线、C-V曲线

三极管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，输入特性曲线、输出特性曲线、C-V特性曲线

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES栅极内阻Rg、输入电容Ciss/Cies、输出电容、Coss/Coes、反向传输电容Crss/Cres、跨导gfs、输出特性曲线、转移特性曲线、C-V特性曲线

光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、输入电容CT、输出电容CCE、电流传输比CTR、隔离电容CIO

更多有关igbt性能测试仪器失效分析等详情找普赛斯仪表专员为您解答，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景