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E300 功率半导体测试3500V高压脉冲电源
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2025-11-20武汉市
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产品简介
E系列功率半导体测试3500V高压脉冲电源具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
详细信息
功率半导体测试3500V高压脉冲电源简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
技术指标
电压性能参数：
| 电压 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
| 100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
| 600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
| 1200V | 120mV | 0.1%±300mV | 120mV | 0.1%±300mV |
| 1600V | 160mV | 0.1%±400mV | 160mV | 0.1%±400mV |
| 2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
| 3500V | 350mV | 0.1%±900mV | 350mV | 0.1%±900mV |
电流性能参数：
| 电流 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
| 1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
| 10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
| 100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
| 1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
| 10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
| 100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
最大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；
输出电压建立时间典型值：< 5ms；
输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；
扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；
通信接口：RS232、以太网；
保护：支持急停、高压互锁保护；
触发：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸2U机箱，深度：520mm(不包含挂耳及急停按钮)
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
目前，武汉普赛斯仪表有限公司的产品已经覆盖了10pA-6000A、300mV-12KV的电压电流范围，并在多个领域展现出绝对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于绝对优势地位。更多有关功率半导体测试3500V高压脉冲电源详情找普赛斯仪表专员为您解答
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