SPA6100 国产品牌半导体参数分析仪

国产品牌半导体参数分析仪特点

30μV-1200V，1pA-100A 宽量程测试能力

测量精度高，全量程下可达0.03%

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便 

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案，兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集

应用场景及测试参数

纳米材料：电阻率、载流子迁移率、载流子浓度、霍尔电压

柔性材料：拉伸/扭转/弯折、V-t、I-t、R-t、电阻率、灵敏度

IC芯片：O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O  Pin IV曲线

分立器件：BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、输出/转移/CV曲线等

光电探测器：暗电流ID、结电容Ct、反向击穿电压VBR、响应度R

钙钛矿电池：VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

LD/LED/OLED：Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲线

传感器/忆阻器：V-t、I-t、R-t、直流/脉冲/交流IV测试

特色优势

模块化配置：可灵活配置多种测量单元，预留升级空间，方便后期升级

图形化界面：内置常用器件模板，可直接调用，并且支持输出三种模式测试报告

自动化测试：内嵌低漏电矩阵开关，可自动切换测试电路，实现一键测试功能

夹具可定制：支持二极管、三极管、Si及SiC  MOS管、IGBT等器件

多设备联动：可与探针台、温控模块等搭配使用，温控范围：室温~250℃

更多有关国产品牌半导体参数分析仪详情找普赛斯仪表专员为您解答，普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！