美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000 等离子清洗器-上海伯东企业有限公司手机版

产品简介

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

详细介绍

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:

1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

2.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷

4.高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供电	DC magnetic confinement
- 电压	40-300V VDC
- 离子源直径	~ 5 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-30010A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45° (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	4.0'
- 直径	5.7'
- 加工材料	金属电介质半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	10-36”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:

1.离子辅助镀膜 IAD

2.预清洗 Load lock preclean

3.预清洗 In-situ preclean

4.Direct Deposition

5.Surface Modification

6.Low-energy etching

7.III-V Semiconductors

8.Polymer Substrates