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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 电子束刻蚀系统
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¥10上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 75, 紧凑栅极离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
离子束流: >250 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝.
加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用.
离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75技术参数:
离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >250 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 7.5 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 20.1 cm |
直径 | 14 cm |
中和器 | 灯丝 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
伯东KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域:
1.溅镀和蒸发镀膜 PC
2.辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
3.表面改性, 激活 SM
4.离子溅射沉积和多层结构 IBSD
5.离子蚀刻 IBE