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晶圆真空退火炉
晶圆真空退火炉主要用于半导体晶圆的低温退火。
尺寸：4-8英寸晶圆
晶圆舟：标准
控温精度：±3℃
升温速率：10℃/min
洁净等级：千级洁净 参考价￥80000 -
SIC高温氧化炉-氧化扩散炉-科研氧化炉
SIC高温氧化炉-氧化扩散炉-科研氧化炉
扩散炉系列设备用途：用于大规模集成电路、太阳能电池片、电力电子、光 电器件、光导纤维等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺。 设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。 参考价￥100000 -
碳化硅氧化炉 真空退火炉 高温扩散炉
碳化硅氧化炉 真空退火炉 高温扩散炉
★可处理硅片尺寸：2—8英寸
★外型形式：卧式1—4管结构
★工作温度：200℃—1300℃
★恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
★单点温度稳定性、重复性：≤±0.5℃／24h 参考价￥100000 -
半导体退火炉 硅片退火炉
半导体退火炉 硅片退火炉 供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6“硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。 参考价￥68000 -
高真空退火炉 半导体退火炉
高真空退火炉 半导体退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6“硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。 参考价￥68000 -
卧式6寸两管扩散炉
卧式6寸两管扩散炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6“硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。 参考价￥68000 -
三工位真空烧结炉
三工位真空烧结炉主要由左、中、右并列三工位工作室、设备机架、可移动电热炉体、电气控制系统、冷却系统、机械传动系统组成。 参考价￥100000 -
科研设备 科研仪器设备 科研炉
科研炉是半导体加工中的典型热处理设备，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件、光导纤维等行业中进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。
科研设备 科研仪器设备 科研炉 参考价￥80000 -
卧式6寸两管退火炉
卧式6寸两管退火炉供大规模集成电路、MEMS 生产线用做6“硅片的合金、氧化、退火、烧结、扩散等工艺使用。同时也可下沉工艺，完成4寸wafer 的相应工艺。 参考价￥100000 -
氧化炉
氧化炉应用于大规模集成电路、电力电子器件、光电子器件、半导体器件、光导纤维及太阳能电池等行业的氧化、扩散、烧结、合金等工艺，可用于3-12英寸工艺尺寸。 参考价￥68000 -
石英管退火炉
石英管退火炉的控制系统高，具有安全可靠，操作简单，控温精度高，保温效果好，炉膛温度均匀性高等特点，广泛应用于高等院校，科研院所，企业实验和小批量生产等。 参考价￥68000 -
TEL立式加热器
TEL立式加热器
★半导体扩散炉烧结炉等
★满足3“-12“晶圆扩散炉“
★完整的产品系列
★进口替代
★*的材料及制造技术，指标优异
★使用温度：1300℃±0.5℃
★高温型、普通型、快速升降温型 参考价￥8000