晶圆蚀刻清洗机CES是ULTRA晶圆蚀刻清洁系统,满足晶片、光掩模和基板蚀刻清洗特定工艺需求。
晶圆蚀刻清洗机CESx124、126、128或133非常适合蚀刻和清洁从小直径到超大直径的各种尺寸的晶片、光掩模和基板。晶圆蚀刻清洗机CESx可配置多个过程分配选项，从用于DI-H2O或化学的Megasonic喷嘴；用于化学配药的低压喷嘴；化学和DI-H2O加热器；用于表面搅拌以加速反应的刷子和/或DI-H2O；还有更多。
晶圆蚀刻清洗机可编程抛物线臂运动有助于确保均匀蚀刻。快速有效的干燥技术结合了可变的旋转速度；可选加热的DI-H2O；和氮辅助。该晶圆蚀刻清洗机非常安全，具有“冲洗至pH”功能，可在接触基质之前去除腔室内的任何化学物质。

适合直径不超过9x9英寸/300mm直径的基片
•具有无刷伺服电机的主轴组件用于精确的速度控制和分度。
•摆动式分配臂，速度可调&行程位置&可编程抛物线行程。
•径向排气室，层流在盖的顶部与N2进料一起流动。
•用于清洁和干燥辅助的DI-H2O加热器。
•符合FM4910的PVDF工艺室，含PTFE涂层不锈钢表面&独立聚丙烯机柜，不锈钢内部带泄漏的框架和集成二次安全壳
•微处理器控制，能够保持三十（30）个食谱在内存中有三十（30）个步骤。
•用清水冲洗至整个工艺区域和基材的pH值联锁装置禁止进入工艺区和控制区排水和主轴速度，直到安全。
•按钮盖打开/关闭。
•触摸屏图形用户界面（GUI），易于操作带有屏幕错误的编程和安全锁定报告。
•用于化学品和室内排水的排水分流器。
•设计符合SEMI S2/S8指南，占地面积小，宽28英寸，深24英寸，包括：集成式DI H2O加热器；化学品储存二级安全壳。面向所有人的前台服务访问组件。尺寸不包括后面板设施和连接