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产品特点Plasma Perform是面向科研及企业研发客户使用需求设计的高性价比等离子体系统。作为一个多功能系统，它通过优化的系统设计与灵活的系统配置方案，可以为用户提供
大量的等离子体刻蚀与沉积的方案。该设备
结构紧凑占地面积小，专业的机械设计与优化的自动化操作软件使得该设备操作简便、安全，且工艺稳定重复性高。
Plasma Perform通用性载片台兼容2寸到8寸样片，且支持真空进样（loadlock)可以实现批量生产。
兼容PE模式与RIE模式。
下电极双频馈入模式可以使得我们RIE系统刻蚀效率更高且工艺窗口更宽，满足用户更加复杂的工艺要求。源自半导体行业的专业机械设计与控制使得工艺更加稳定可靠。
特点:
ICP等离子体增强化学气相沉积
特殊的进气与天线设计保证等离子体均匀分布
加热静电屏蔽系统保证射频安全
特殊的加热设计保证下电极温度均匀
自动化控制系统，完备的互锁功能保证使用安全
优势
l 工艺性能优异。
l 全自动化集成设备，完善的工艺控制软件，舒适的人机交互体验
l 系统设置多级管理权限，集简易的操作体验与严谨的工艺管控与一体。
l 低成本，高性价比（兼容2到8寸样品），且配制更加灵活。
技术参数经过产业验证的专业设计为Plasma Perform的工艺表现提供了强有力的保证
l 上、下电极温度快速可控，为工艺过程提供稳定的温度环境。
l 多层匀气系统及中心抽气模式，保证样品表面气体分布更加均匀，提升工艺均匀性。
l PECVD工艺过程的双频模式可以实现沉积薄膜的应力可调。
l 下电极两种温区选择（150度到400度与150度到700度），为您的工艺提供不同的选择。
l RIE工艺过程的解耦双频（60MHz/2MHz)的选择刻蚀刻蚀工艺独立控制等离子体能量与等离子体密度，从而有效扩宽工艺窗口。
l 刻蚀过程等离子体约束机构可以有效提高射频能量利用率，提升刻蚀速率与稳定性。
射频诱导线圈的引入，为整个系统提供一个更加稳定的射频回路与环境，从而使得整个系统工艺过程稳定。
应用领域l 光电器件、MEMS钝化介质材料及其它领域应（比如耐腐蚀层，抗磨损层）用高品质氧化硅/氮化硅。
l 纳米材料制备：ZnO, TiO2以及硅基纳米材料等。
l 光电器件及MEMS工艺过程中介质材料的刻蚀：SiO2, SiNx，TiN等
l 金属刻蚀：Al, W等
l 聚合物刻蚀：光刻胶，聚酰亚胺等。
l III-V族刻蚀
