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合肥市所在地
1200℃双温区CVD系统(低真空、高真空)型号:BTF-1200C-II-CVD
面议双温区滑轨式PECVD系统PECVD-II-500A
面议纳米线生长专用设备
面议碳纳米纤维膜系统 BTF-1400C-CN-80
面议流化床—粉体碳纳米管生长设备
面议连续进出料等离子体增强回转PECVD设备-BTF-1200C-RP-PECVD
面议回转CVD设备 BTF-1200C-V-R-280
面议分体式升华设备将热场置于手套箱(简易款)
面议半导体前驱体提纯仪/药品提纯仪/去金属离子提纯仪(试验级)
面议实验级升华仪BOF-7-100(新款)
面议实验级升华仪BOF-5-50
面议升华仪 BOF-7-100
面议主要特点
VT系列立式真空管式炉采用硅钼棒进行加热,专门设计针对于材料在真空或气氛保护环境下对材料进行烧结,采用双层壳体结构,使得壳体表面温度小于65℃,高纯度氧化铝纤维作为炉膛保温材料,主要应用领域如碳纳米管生长,陶瓷烧结退火,单晶生长等。
技术参数
额定功率 | 5.2KW |
额定电压 | AC220V |
温度 | 1600℃ |
工作温度 | ≦1500℃ |
推荐升温速率 | 10℃/min |
炉管尺寸 | 外径φ100×长度900mm |
加热区高度 | 300mm |
热电偶 | B型热电偶 |
测温元件 | 雷泰红外枪 |
控温方式 | 模糊PID控制和自动整定调节,智能化30段可编程控制 |
控温精度 | ±1℃ |
加热元件 | A4硅钼棒(Φ6*280*220*30) 数量:4根 |
密封系统 | 水冷卡箍法兰组件 |
炉体尺寸 | 长550mm×宽550mm×1650mm |
设备净重 | 145KG |