此款设备简易分体式结构，能将升华体置于手套箱内部，控制部分及真空部分置于手套箱外，成本低，操作简易。能初步满足材料进出及升华过程中的气氛保护要求。法兰为球头真空吸附方式密封，无需工具操作，大大降低了手套箱内的操作难度，整个操作过程材料与大气隔绝，避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染，是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的。                                      

技术参数：

设备长度500mm，亮面不锈钢

外管尺寸50mm*700mm

单层金属滤网，简易拆卸，易清洁保养

每段加热区长度=100+200+100mm

软件温控保护温=600°C

极限真空10^-4Pa

升华炉体内置于手套箱内