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合肥市所在地
回转放气炉 BTF-700C-III-R
面议间歇式CVD回转炉 BTF-1200C-III-150-CVD
面议智能型大口径高真空退火炉 BTF-1100C-IIIA-05
面议单温区立式搅拌炉 BTF-700C-VT-50
面议智能升降钟罩炉 BTF-1200C-BELL
面议小型浮动催化系统 BTF-1500C-CVD
面议大口径立式高温炉 BTF-1200C-VI-VT-530
面议箱式滑轨热压炉 MF-1200C-SL-VP
面议公斤级回转炉 BTF-1200C-III-R-150
面议粉体碳纳米管生长设备 BTF-1200C-3VT-5Z
面议1200℃双温区CVD系统(低真空、高真空)型号:BTF-1200C-II-CVD
面议双温区滑轨式PECVD系统PECVD-II-500A
面议此款设备简易分体式结构,能将升华体置于手套箱内部,控制部分及真空部分置于手套箱外,成本低,操作简易。能初步满足材料进出及升华过程中的气氛保护要求。法兰为球头真空吸附方式密封,无需工具操作,大大降低了手套箱内的操作难度,整个操作过程材料与大气隔绝,避免了大气中水、氧的影响以及灰尘的污染,是制备高纯度半导体前驱体及相关材料的。
技术参数:
设备长度500mm,亮面不锈钢
外管尺寸50mm*700mm
单层金属滤网,简易拆卸,易清洁保养
每段加热区长度=100+200+100mm
软件温控保护温=600°C
极限真空10^-4Pa
升华炉体内置于手套箱内