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合肥市所在地
1200℃双温区CVD系统(低真空、高真空)型号:BTF-1200C-II-CVD
面议双温区滑轨式PECVD系统PECVD-II-500A
面议纳米线生长专用设备
面议碳纳米纤维膜系统 BTF-1400C-CN-80
面议流化床—粉体碳纳米管生长设备
面议连续进出料等离子体增强回转PECVD设备-BTF-1200C-RP-PECVD
面议回转CVD设备 BTF-1200C-V-R-280
面议分体式升华设备将热场置于手套箱(简易款)
面议半导体前驱体提纯仪/药品提纯仪/去金属离子提纯仪(试验级)
面议实验级升华仪BOF-7-100(新款)
面议实验级升华仪BOF-5-50
面议升华仪 BOF-7-100
面议1、铝型材机架+防指纹拉丝不锈钢面板,触摸屏人机操作;
2、样品台尺寸:可放置4英寸样品,兼容4inch及以下样品尺寸;
3、样品加热温度:300℃,控制精度±0.5℃;样品台表面设置有阳极氧化铝片托, 方便清洗和维护保养;
4、本底真空1:配置高性能双极旋片真空泵,抽速不小于16 m3/h,满足对本底真 空和原子层沉积工艺的要求;
5、真空计:美国MKS数字式压力传感器,检测范围10-5至105 Torr;
6、反应腔室:沉积腔室下腔室为316不锈钢电抛光处理,上腔盖为6061铝材阳极 氧化。腔室内有可拆卸阳极氧化铝内衬,方便清洗;腔室及真空抽气管路的 采用全氟橡胶O型圈密封,真空漏率小于5*10-7Pa.L/s;
7、独立前驱体源:配置2路加热金属前驱体源和1路水前驱体源,金属前驱体源 和水前驱体源采用两个独立的进气口输运到真空反应腔室,每个进气口配置独 立的吹扫流量计和管道;在未进入反应腔室前不能混合,避免前驱体源在输运 管道到发生交叉污染;
8、每路加热前驱体源系统的加热温度可达到200℃,温度控制精度±0.5℃。 配Swagelok高温ALD专用阀门,高温手动隔膜阀,50mL不锈钢源瓶;
尾气处理装置:外热式不锈钢真空热阱前驱体处理器,加热温度600℃,
9、控制精度±1.0℃;
10、吹扫流量计:2路模拟量质量流量计,控制精度为满量程的1%;
11、电源:50-60Hz,功率5KW,380V交流电源;
12、控制方式:PLC+工控机+悬停触摸屏操作;
13、沉积非均匀性:4英寸内沉积300cycle氧化铝非均匀性<±1%;
14、维修工具1套、说明书及其它技术资料;
15、配套工艺:提供沉积氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化锌、氧化锆等材料的标准沉积工艺。
16、提供设备改造和根据工艺需求升级。