深圳市星际金华实业有限公司现货提供NTMFS4C302NT1G N沟道场效应晶体管 只做原装  质量保证

星际金华供应NTMFS4C302NT1G N沟道场效应晶体管   有单者价格方面可详谈

<div ft5"="" style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: Arial, Verdana, sans-serif; font-size: 12px;">特征

• 占地面积小（5x6毫米），紧凑设计

• 低R DS（on）以小化传导损耗

• 低Q G 和电容以大程度减少驾驶员损失

• 这些设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS要求合规

制造商 ON Semiconductor

制造商型号 NTMFS4C302NT1G

批号   18+

描述 NFET SO8FL 30V 1.15MO

详细描述 表面贴装型-N-通道-30V-41A（Ta）-230A（Tc）-3.13W（Ta）-96W（Tc）-5-DFN（5x6）（8-SOFL）

规格

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列 -

标准包装  1,500

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 41A（Ta），230A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 1.15 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 82nC @ 10V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 5780pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 3.13W（Ta），96W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线