星际金华优势库存提供CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管  **  现货  量大价优   质量可保证

深圳市星际金华供应CSD17306Q5A N沟道场效应晶体管   欢迎选购   实单可议价

产品信息

制造商  TI 

批号   18+

型号  CSD17306Q5A

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 24A（Ta），100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 3V，8V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 3.7 毫欧 @ 22A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.6V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 15.3nC @ 4.5V

Vgs（大值） +10V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 2170pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 3.2W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

我们将竭诚为您服务！！！