深圳市星际金华出售IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管  *  进口*  质量有保证

星际金华提供  IKW75N65ES5 N沟道场效应晶体管   价优物原   库存充足  欢迎选购

功能摘要：
极低的V CE（sat）在25°C时为1.35V，比TRENCHSTOP™5 H5低20％
IC（n）=标称电流的四倍（100°CT c）
软电流下降特性，无尾电流
对称，低压过冲
栅极电压受控制（无振荡）。没有不必要的器件导通的风险，也不需要栅极钳位
高结温T vj = 175°C
符合JEDEC标准

优点：
不需要V CE（峰值）钳位电路
适用于单个导通/关断栅极电阻
无需门夹紧组件
不需要米勒钳位的栅极驱动器
减少所需的EMI滤波
非常适合并联

目标应用：
存储
UPS
焊接
太阳能
充电器

规格：

IGBT 类型 沟道

电压 - 集射极击穿（大值） 650V

电流 - 集电极（Ic）（大值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 300A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 1.75V @ 15V，75A

功率 - 大值 395W

开关能量 2.4mJ（开），950µJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 164nC

25°C 时 Td（开/关）值 40ns/144ns

测试条件 400V，75A，18 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 85ns

工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 PG-TO247-3

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