深圳市星际金华大量库存货源供应CSD19531Q5A N沟道场效应晶体管  *   价格低廉  

星际金华提供CSD19531Q5A N沟道场效应晶体管   实单可议价     质量有保证

品牌：TI      型号：CSD19531Q5A    批号：18+    备注：原装现货

产品特性
超低 Qg 和 Qgd
低热阻
雪崩额定值
无铅端子镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

规格

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 6.4 毫欧 @ 16A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 3.3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 48nC @ 10V

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3870pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 3.3W（Ta），125W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-VSONP（5x6）

封装/外壳 8-PowerTDFN

应用范围
初级侧电信应用
次级侧同步整流器
电机控制

有意者欢迎各位新老顾客的致电选购！！！