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PZT-JH型PVDF聚合物薄膜电晕极化装置
¥55555JKRY-5T型科研级超高温小型热压机
¥5555PZT-JH30/1型 PVDF/聚合物薄膜电晕极化装置
¥1SPS-2T型放电等离子热压烧结炉
¥111GPZT-JH10/4W型共面高压极化装置
¥111PJMRY-30T型晶片及薄膜转移真空热压机
¥111DLQL-1700型电动送取样气淬炉
¥111YDQM-60型系列液氮冷却行星球磨机
¥1111XHLQM-30型系列循环冷风行星球磨机
¥1111PZT-1000型1000℃超高温压电极化装置
¥1111四通道同时极化PZT-JH10/4A型高压极化装置
¥1CCDPJ-42T型叠片机
¥1111RTP4-1200型全温区快速退火炉
关键词:快速退火炉,RTP, 200℃/S
RTP4-1200型快速退火炉快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),在吸收了生产制造工艺的基础上自主研发了该款产品。该设备不但拥有极快的升温速率200℃/S,而且在烧结工艺运行完结,直接将试样在高温区取出。实现物理状态下的最快降温。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺,在绿色节能环保的基础上真正的实现了试样的极速升降温.多重保护功能,过温报警,过热报警,过热自动保护,水压报警,水压异常自动保护是材料研究的重要设备,目前在各大高校,科研院所及生产单位广泛使用。
一、RTP4-1200型快速退火炉应用领域
快速热退火 (RTA); 离子注入后退火
石墨烯等气象沉积,碳纳米管等外延生长
快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
扩散 (Diffusion);
离子注入后退火 (Implant Annealing);
电极合金化 (Contact Alloying);
晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);
化合物半导体:
√LED芯片
√光通讯芯片
√射频芯片
√功率半导体芯片
2.应用z广的工艺:
√离子注入后快速退火
√ITO镀膜后快速退火
3.其他应用领域:
氧化物、氮化物生长
硅化物合金退火
砷化镓工艺
欧姆接触快速合金
氧化回流
其他快速热处理工艺
产品特点:
可测大尺寸样品:可测单晶片样品的尺寸为1-8英寸。
压力控制系统创新设计:高精度控制压力,以满足不同的工艺要求。
存储热处理工艺:方便工艺参数调取,提高实验效率,数据可查询。
快速升温:最高升温速率可达200℃/s。
程序设定与气路扩展:可实现不同温度段的精确控制,进行降温段的自动转接,并能够对工艺菜单进行保存,方便调用。采用MFC精确控制气体流量,最多可支持6路气体,实现不同气氛环境(真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等)下的热处理。
全自动智能控制:采用全自动智能控制,包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。
超高安全系数:采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,保障设备使用安全。
分区控温:分区域控制加热功率,提高温度均匀性。
RTP4-1200型快速退火炉主要技术参数:
温度范围 | 100 – 1300 ℃ |
升温速率 | 2 — 200 ℃/秒可调 |
密封石英腔内面尺寸 | 215 X 140X 14 毫米 |
样品最大尺寸 | 4英寸 |
计算机控制器 | PC 机控制,内存 4G,500G硬盘,处理器:I3 以上及快速热处理编程控制软件RTP-500的控制软件. |
温度设定范围 | 100-1300℃ |
温度重复性 | +/-1℃ 6区控温 |
测温精确度 | 100-1300全温度段精度>0.5% |
测温装置 | K型热电偶 |
温度曲线 | 自动记录,保存,文本格式转换,支持彩色分页打印 |
1000℃连续工作时间 | 双闭环温度控制,稳态温度稳定性±2℃ ,1000℃连续工作>1小时 |
光源 | 1.25KW X 13 卤钨灯 |
电源 | 380 V 40A 三相 四线(三火线, 零线),50/60Hz |
水源 | 自来水或循环水, 水压 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分 |
冷却方式 | 水冷,风冷,气冷 |
安全装置 | 过温报警,过热报警,过热自动保护,水压报警,水压异常自动保护 |