原子层沉积系统ALD R-200 Advanced技术参数

衬底尺寸和类型50 – 200 mm /单片
zui大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺）
特殊选项：zui大200 mm，竖直放置，5-15片每批（根据工艺）
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底
粉末与颗粒
Roll-to-roll, 衬底zui大宽 70 mm
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
原子层沉积系统ALD R-200 Advanced工艺温度

50 –500 °C, 可选更高温度
原子层沉积系统ALD R-200 Advanced基片传送选件

气动升降（手动装载）
预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
半自动的机械装载
集群系统的批量装载（Cassette-to-cassette ）
前驱体

液态、固态、气态、臭氧源、等离子体
12根独立源管线，zui多加载6个前驱体源
重量

350 + 200 kg
尺寸 (W x H x D)

取决于选件
zui小 146 cm x 146 cm x 84 cm
zui大 189 cm x 206 cm x 111 cm
选件

集群工具，PICOFLOW? 扩散增强器，集成椭偏仪，QCM，RGA，超高真空兼容，N2发生
器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）。
验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺