膜厚可控性和重复性好
控制靶电流可以控制膜厚
通过溅射时间控制膜厚

薄膜与基片的附着力强
高能量的溅射原子产生不同程度的注入现象，形成一层伪扩散层
基片在成膜过程中始终在等离子区中被清洗和激活，清除了附着力不强的溅射原子，净化且激活基片表面。

可以制备特殊材料的薄膜
可溅射几乎所有的固体（包括粒状、粉状的物质），不受熔点的限制。
使用不同材料同时溅射制备混合膜、化合膜。
可制备氧化物绝缘膜和组分均匀的合金膜。
可通入反应气体，采用反应溅射方法制备与靶材*不同的新的物质膜。如用硅靶制作二氧化硅绝缘膜；用钛靶，充入氮气和氩气，制备氮化钛仿金膜。

膜层纯度高
没有蒸发法制膜装置中的坩埚构件，溅射膜层不会混入坩埚加热器材料的成分。

缺点：成膜速度比蒸发镀膜低、基片温升高、易受杂质气体影响、装置结构复杂。