设备特点

•多药液工艺槽与 DIO 附属功能适配：支持根据工艺需求配备多个独立药液工艺槽，每个槽体可对应不同清洗 / 蚀刻流程（如光刻胶去除槽、金属杂质清洗槽、氮化硅蚀刻槽），实现 “一槽一工艺” 的精准分区，避免不同药液交叉污染；同时可兼容 DIO（如在线检测、实时监控）等附属功能，通过实时数据反馈优化工艺参数，进一步提升工艺可控性。

•量身定制软件与快速更新能力：软件系统并非通用模板，而是根据具体工艺需求（如不同领域的清洗标准、特定材料的处理逻辑）量身开发，降低员工学习成本；更具备快速更新能力 —— 当客户工艺迭代（如切换新的蚀刻材料、调整清洗步骤）时，无需更换硬件，仅通过软件升级即可适配新需求，大幅缩短工艺切换周期。

•高稳定性温度控制：工艺模块与药液供给系统均搭载高精度温控组件，实时调节加热功率，将药液温度、工艺槽环境温度的波动控制在极小范围。稳定的温度环境是保障化学反应速率一致的关键，可有效避免因温度波动导致的局部清洗不干净、蚀刻速率不均等问题，确保 12 英寸晶圆各区域工艺效果统一。

•超高补水精度：在药液循环或长时间工艺运行中，药液会因挥发导致浓度升高，此时补水系统会精准补充去离子水以维持浓度稳定，通过微量补水避免浓度骤变，保障药液性能持续稳定，尤其适合对浓度敏感的金属杂质去除、精细蚀刻等工艺。

•精准蚀刻速率控制：通过实时监测蚀刻过程中的材料厚度变化（如搭载光学厚度传感器），动态调整药液流量、反应时间等参数，控制蚀刻速率偏差。这一行为可满足集成电路、硅基微显示等领域对 “材料去除量精准可控” 的需求，避免过度蚀刻导致的晶圆报废或蚀刻不足影响后续工序。

•优秀干燥效果：清洗 / 蚀刻后的晶圆若残留水分，会导致后续工艺中出现氧化、污染等问题。该设备的干燥模块采用热风循环与真空辅助结合的方式，可快速去除晶圆表面水分，且避免干燥过程中产生水痕、颗粒残留；干燥后晶圆表面水含量可控制在极低水平，为后续沉积、光刻等工艺提供洁净的基底环境。

产品应用

•晶圆尺寸适配：专为12 英寸晶圆设计，从传输轨道宽度、工艺槽尺寸到定位精度，均针对 12 英寸晶圆的物理特性优化，可稳定处理该尺寸下的各类晶圆，适配大尺寸晶圆产线的批量生产需求。

•适用材料覆盖：覆盖半导体制造中多种关键材料，每种材料均有对应的专属处理方案 —— 光阻（针对光刻后残留的光刻胶，采用专用溶剂与温度参数实现无残留去除）、单晶硅 / 多晶硅（衬底核心材料，通过温和清洗去除表面杂质，避免损伤衬底结构）、氧化硅 / 氮化硅（介质层材料，支持选择性蚀刻与清洁）、金属膜（如铝、铜等互连层金属，可精准去除表面氧化层或残留金属颗粒）、金属氧化物（如氧化铪、氧化镧等新型介质材料，采用适配的化学试剂避免材料分解）。

•适用工艺场景：覆盖晶圆制造多环节的工艺需求，每个工艺均对应明确的生产价值：

炉前清洗：晶圆进入炉管工艺（如氧化、扩散）前的 “预处理清洁”，去除表面油污、金属杂质，避免杂质在高温下扩散到晶圆内部，影响器件电学性能；

刻蚀 / 抛光后清洗：刻蚀后去除残留的蚀刻试剂与聚合物，抛光后去除研磨浆料与划痕处的残留颗粒，为后续工艺提供洁净表面；

光阻、金属氧化物、氮化物去除：分别对应光刻后光阻剥离、新型介质层的选择性去除、氮化物保护层的剥离，满足不同工序的材料处理需求；

控挡片回收：对产线中用于 “保护晶圆、优化工艺” 的控挡片进行清洗，去除表面污染与残留材料，实现控挡片重复利用，降低客户耗材成本。

•适用领域延伸：

集成电路领域：支撑 12 英寸逻辑芯片、存储芯片制造全流程的清洗与蚀刻需求，尤其适配工艺节点对精度的高要求；

功率半导体领域：针对碳化硅、氮化镓等功率器件的材料特性，提供温和且精准的清洗方案，避免损伤功率器件的高压结构；

衬底材料领域：用于 12 英寸硅衬底、特种衬底的表面清洁，去除制备过程中的杂质与缺陷，提升衬底纯度；

硅基微显示领域：适配微显示器件（如硅基 OLED、Micro LED）的精细结构清洗需求，确保微小像素区域无残留、无损伤，保障显示效果。