设备特点

•专业的气流场和温度场设计：通过优化气流通道结构与加热组件布局，实现反应气体在工艺腔室内的均匀扩散，同时保证晶圆表面温度分布的高度一致性，有效避免因气流、温度不均导致的外延层质量问题，最终获得优异的工艺性能，确保外延片各项参数达标；

•高精度的压力控制系统：搭载高灵敏度压力检测元件与快速响应的压力调节装置，能够实时监测并调整工艺腔室内压力，将压力波动控制在极小范围内，为薄膜生长提供稳定的压力环境，从根本上保证成膜质量的稳定性与可靠性；

•稳定的传输和电机升降系统：传输系统采用平稳的输送机构，可避免晶圆在传输过程中产生晃动或位置偏移；电机升降系统则具备高精度定位能力，能精准调节工艺相关部件的高度，两者协同工作可尽可能限度减少工艺误差，保证不同批次、不同位置晶圆的工艺结果一致性；

•友好的人机交互和全面的安全性设计：人机交互界面采用直观的操作逻辑，工作人员可便捷地设置工艺参数、监控设备运行状态，降低操作复杂度；安全性设计覆盖过载保护、异常报警、紧急停机等功能，能实时监测设备运行风险，及时响应突发状况，保障设备系统稳定、操作人员安全及整体生产高效；

•灵活的机型选择：提供单腔和多腔两种机型，单腔机型适合小批量生产、工艺研发等场景，多腔机型则能满足大规模量产需求，可根据客户的产能规划与应用场景，提供个性化的设备配置方案。

产品应用

•晶圆尺寸适配：兼容 6 英寸与 8 英寸晶圆，无需对设备进行大规模改造即可切换不同尺寸晶圆的生产，提升设备在不同产线中的适用性，降低客户的设备投入与产线调整成本；

•适用材料：专门针对硅材料设计，可满足硅基外延工艺对反应材料的要求，契合集成电路、功率半导体等领域对高质量硅基材料的核心需求，为硅基半导体器件的制备提供基础支持；

•适用工艺：可稳定运行体硅外延、埋层外延、选择性外延工艺 —— 体硅外延用于制备厚度均匀、纯度高的硅衬底层；埋层外延用于在晶圆内部形成特定导电埋层，优化器件电学性能；选择性外延则可在晶圆指定区域生长硅膜，满足复杂器件结构的制备需求；

•适用领域：广泛应用于集成电路领域（用于芯片制造中关键的外延层制备环节）、功率半导体领域（助力高耐压、高功率半导体器件的生产）、衬底材料领域（用于制备高性能硅衬底，为后续器件制造提供优质基底）、科研领域（支持高校、科研机构开展半导体材料与外延工艺的研发实验，推动相关技术创新）。