大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

基础信息

ü门极触发：VGT、IGT

ü维持电流：IH、IL

ü阻断参数：VD、VR、ID、IR

ü压降参数：VTM、ITM

ü电压上升率：dv/dt

ü电流变化率：di/dt

ü关断时间：Tq

ü恢复电荷：Qr、Irr、Trr

大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

主要量程

Ø阳极电压：12V

Ø阳极串联电阻：12Ω

Ø门极触发电压：0.3—5.00V

Ø门极触发电流：1—500mA

Ø维持电流：1—500mA

Ø擎住电流：5—1000mA

Ø通态电流：600—8000A

Ø通态压降：0.3—9.99V

Ø阻断电压：200—8000V

Ø正反向漏电流：1—250mA

Ødv/dt箝位电压VDM：500~4KV

Ø电压上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

Ø通态电流：200—2000A

Ø反向电压：50—200V

Ø再加电压：500—3000V

Ø关断时间：4—1500μS

Ø反恢电荷：200μQ—15000μQ

Ø再加电压上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS

Ødi/dt：10A/μS、20A/μS，

大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

气动夹具

Ø压力方式：气压

Ø压力范围：10~60KN

Ø压力分辨率：0.1KN

Ø控温范围：70~180℃

Ø控温精度：70℃—125℃±1.0℃

Ø控温精度：125℃—180℃±1.5℃

Ø温度分辨率：0.1℃

Ø夹头耐压：10KV

Ø夹头行程：≥80mm

Ø台面直径：大于Φ130mm

Ø夹头找平：≥1mm

Ø夹头平面度：≤20μm

Ø导柱间跨距：≥310mm

Ø夹头电流：10000A

Ø夹头极性：上为阴极，下为阳极

Ø采样：上下夹头采样顶针同轴

Ø电源：AC50HZ/220V功率≤5KW 

Ø夹具可安装适配器，应对不同封装

大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

系统单元

Ø门极触发参数测试单元

Ø维持电流测试单元

Ø擎住电流测试单元

Ø阻断参数测试单元

Ø通态压降参数测试单元

Ø电压上升率参数测试单元

Ø关断时间参数测试单元

Ø恢复电荷参数测试单元

Ø自动热稳态压力夹具

Ø计算机控制系统

ØPLC控制系统

大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCR-DC8000

性能指标

通态压降测试

通态电流：600—8000A±3%±10A；

通态压降：0.3—9.99V±3%±10mV；

电流达到电流峰值的时间：≥5ms

可测设定前沿电流和后沿电流的压降。可测门槛电压和斜率电阻

（此功能由单独“通态特性曲线”测试程序完成）

测试频率：单次

计算机显示：ITM/IFM，VTM/VFM数值

dv/dt测试

dv/dt箝位电压VDM：500—4000V，数码设定，数字表显示。

dv/dt箝位电压VDM静态精度：±5%

电压上升率：200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS

电压上升率误差：±10%（在再加电压2000V（负载电容2.2nF）

下作为考核点）过压时间超过0.5us的瞬态电压＜200V。

信号指示：具有测试信号指示、通过指示、失败指示。

测试频率：约0.5HZ；电压近似线性上升率"

高压伏安特性

阻断电压：200—8000V±3%±10V；

电压分辨率：0.01KV

正反向漏电流：1—250mA±3%±0.1mA；

正反向漏电流分辨率：0.1mA；

显示阻断特性曲线，设备有输出电压和电流保护功能。

测试频率：5或50HZ

电压调节：手动调节计算机显示阻断电压和漏电流数值

门极触发特性

阳极电压：12V

阳极串联电阻：12Ω

门极触发电压：0.3—5.00V±5%±10mV；

门极触发电流：1—500mA±5%±1mA；

测试频率：单次计算机显示VGT、IGT数值

擎住电流

阳极电压：12V

擎住电流：5—1000mA±5%±1mA；

计算机显示：IL数值

维持电流

阳极电压：12V

维持电流：1—500mA±5%±1mA；

测试频率：单次预导通电流：约10A、20A和40A三档

计算机显示：IH数值

关断时间及恢复电荷

通态电流：200—2000A±5%（数码设定），

脉宽4Ms。

反向电压：50—200V

反向设定电压静态精度±5%（数码设定）；

再加电压：500—3000V

再加电压静态设定精度±5%（数码设定）；

关断时间：4—1500μS±5%±1μS；

反向恢复电荷：大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ；

重复性：快速晶闸管±50μQ；普通晶闸管±100μQ；

再加电压上升率：30V/μS、50V/μS、100V/μS三档。

±10%再加电压在1000V（负载电容2.2nF）下作为考核点。

电压上升率按指数法计算。

反向电流di/dt：10A/μS、20A/μS，精度±15%，电流在

1500A下作为考核点。

测试频率：约0.5HZ；

配有电压电流的校验程序（仅供校验用）"