半导体热特性试验系统ST-PCX

半导体热特性试验系统ST-PCX

基础能力

试验对象

各种封装的Diode、BJT、MOS-FET、

SCR、IGBT、IPM等

试验能力

ü功率循环秒级/PCsec

ü功率循环分钟级/PCmin

ü被动循环/TC

ü瞬态热阻/Zth

ü稳态热阻/Rth

üK曲线/Kcurve

试验标准

MIL-STD-750E、JEDEC、JESD51、

AEC-Q101、AQG324、GJB128A、

IEC60747

物理规格及环境要求

01.主机规格：200/W*136/D*150/H（cm）

02.主机质量：＜600kg

03.水冷却机：105/W*56/D*116/H（cm）

04.水冷却机：＜310kg

05.环境温度：5～40℃

06.相对湿度：不大于80％RH

07.电网环境：AC380V，三相五线（PC）

08.功率：32KW

09.供水要求：无杂质自来水，＜30℃

10.       接地保护：整机需要接地保护

半导体热特性试验系统ST-PCX

性能规格

液冷板

n本设备配置3个液冷板，液冷板的尺寸：300*200mm;

加热电流

n3台品牌电源

n输出电压范围：0~10V，精度：额定电压的0.05%；

n输出电流范围：0~1000A，精度：额定电流的0.3%；

n3台电源并联后，输出电流可达3000A；

n该加热电流源用于热阻测试和功率循环。

IM测试电流源

n数量：3路（每个通道对应1路）

n电压16V，电流10mA~1000mA，控制精度≦0.5/±0.2mA；n温度范围（TA/Ta/TC/TL）：10.0℃~200℃，精度：0.2%±0.2℃；

n该电流源用于稳态热阻测试、瞬态热阻测试、功率循环。

电压测量单元

n数量：12套（每个器件对应1套）

n电压测量范围：0.02V~4.000V

n分辩率：10uV；

n测量精度：≦±150uV（小于0.1mV±0.1%）

n采检间隔时间：最小1us

辅助电源

n数量：12套（每个器件对应1套）

n8套辅助电源均为不共地电源（浮地电源），每套电源包括1个-20V~+20V的可调电源。

温度测量装置

n数量：24路（每个通道8路，共计24路）

n冷板：进水口、出水口、平台中心K型热电偶监测器件TC；

n一组Tc用外接备用热电偶；

n预留温度接口：每个通道预留3路温度接口，可接Pt100、热敏电阻等。

n温度测量范围：0℃~200℃，精度：0.2%±0.2℃；

工控机系统

n系统配置研华工控机一台

nCPU：I5-6200u

n硬盘：512G，至少可存储连续试验一年的测试数据。

n内存：4G

n显示屏：21寸，分辩率：1920*1080高清

开关控制

n数量：3套

n用于热阻测试和功率循环试验时对加热电流的开通和关断；Ton/Toff时间：0.5秒~999秒

n小于50ms的脉冲开启时间，

n小于100us脉冲关闭时间

K系数测试单元

K系数独立测试单元，包括一个温度可程控的高温试验箱，一个K系数测试单元，一块测试板。（可测MOSFET的K系数，二极管的K系数）

半导体热特性试验系统ST-PCX

性能规格

1.设备能力

n整机配置3个测试通道，每个通道4颗器件，整机共可同时测试8颗器件。

n测试电流：范围10~1000mA，精度≦0.5％±0.2mA，分辨率0.1mA；

n加热电流：范围0~1000A，精度≦0.1%±0.3%分辨率0.1A。

n2通道并联后可提供2000A电流能力；

n正向压降VF测量范围：0.0200V~4.0000V，

n测量精度：≦±150uV，显示精度：10uV，

n电压测量频率：1MHZ，每次取样间隔时间：最小1us；

n具有秒级（PCsec）和分钟级（PCmin）试验能力；

n试验过程中测量瞬态热阻，并生成微分积分结构函数，观察试验过程中热阻变化情况。通过结构函数，快速得到循环过程中的缺陷、及对应的 循环次数，失效原因等

2.PCsec

n结温测试：变速采样，1MHz，精度1℃，分辨率0.1℃;

n壳温测试：采样速度1KHz，精度2℃，分辨率0.1℃;

n典型条件：0.5s<tcycle<10s，Tjmax=150℃，ΔTjmax=80K，130,000cycles;

n老化模式：恒电流（最严酷），恒定结温Tjmax/ΔTjmax，恒定功率P;

n数据记录：加热电流IH，Ton，Toff，Tjmax，ΔTj，Tjmin，进水口、出水口温度Tw，水流量F，冷板温度，循环数，热阻值；

3.PCmin

n结温测试：变速采样，1MHz，精度1℃，分辨率0.1℃;

n壳温测试：采样速度1KHz，精度2℃，分辨率0.1℃;

n典型条件：2min<tcycle<6min，TCmin=25℃，ΔTjmax=80K，2,000~5,000cycles;

n老化模式：恒电流（最严酷），恒定结温TCmin/ΔTC，恒定功率P；

n数据记录：加热电流IH，Ton，Toff，Tcmax，ΔTc，Tcmin，进水口、出水口温度Tw，水流量F，冷板温度，循环数，热阻值

4.工作模式

n多种工作模式：恒电流、恒功率、恒结温差、恒壳温差、恒开关时间；

5.器件固定

n导轨及锁紧夹具。DUT与冷板之间需有导热硅脂；

半导体热特性试验系统ST-PCX