科研炉是半导体加工中的典型热处理设备，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件、光导纤维等行业中进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

主要技术指标：

炉管数：1～4管

配工艺管口径：Φ90～360 mm (3～12英寸)

恒温区长度： 760～1000 mm±1.0℃ (300～800℃)  760～1000 mm±0.5℃(800～1280℃)

单点稳定性： ±1.0℃/24h (300～800℃)    ±0.5℃/24h (800～1280℃)

气源路数：  ≤7路，可配恒温源瓶、氢氧合成点火器

气体控制：  浮子/质量流量计

悬臂舟参数： 速度：20～1000 mm/min    

         行程：2000 mm    

         定位精度：±1 mm    

         载荷：17 Kg

超净工作台： 净化等级：100级（万级厂房）

噪音：    ≤62dB（A）

振动：    ≤3μm

设备特点：单元组合方式。根据工艺的不同，可以在主机的基础上配气源柜、超净工作台、悬臂推拉舟等。  

晨立科研炉设备,技术和质量已达国际水平,受到半导体设备制造企业和半导体行业高度关注.可替代国外同规格产品满足不同工艺的要求。