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超快恢复二极管单管模块
一、超快恢复二极管(FRED)模块IGBT,功率MOSFET等高速开关器能在电力电子线路中发挥真正的功能和效率,必须与作为续流、吸收、箝位和隔离二极管以及输入和输出整流器的超快恢复二极管(FRED)配合使用才行 参考价面议超快恢复二极管(FRED)模块(绝缘型)
说明1、IF(AV)25A~300A,VRRM=600V~1200V,trr=30ns~40ns,Tjm=150°C2、表中参数为模块每个超快恢复二极管的额定值和特性参数,但Rth(c-h)为模块值;3、It=1/2IFSM·tw,tw在50Hz时为10ms;Rth(j-c)模块=1/2*Rth(j-c)芯片 参考价面议GDS-NBC电焊机专用硅整流桥组件
一、特点:1、功率大,体积小,重量轻,正向电压降小,一致性小 参考价面议三相全控(半控)整流桥模块
说明:1.ID=40A~800A,VDRM=VRRM=600V~2500V,VISO≥2500V(RMS),Tjm=125°C,dv/dt≥1000V/μS,di/dt≥100A/μSRth(j-c)模块=1/6Rth(j-c)芯片 参考价面议三相整流桥模块
三相整流管半桥模块(非绝缘型)说明:1、IF(AV)=40A~300A,VRRM=400V~2200V,Tjm=150°CVISO≥2500V(RMS)2、Rth(j-c)模块=1/3Rth(j-c)芯片 参考价面议单相整流桥模块
说明:1、ID=10A~1000A,VRRM=600V~2500V,Tjm=150°C,VISO≥2.5KVRMS,2、Rth(j-c)模块=1/4Rth(j-c)芯片 参考价面议单相全控(半控)整流桥
说明:1.ID=30A~500A,VDRM=VRRM=600V~2500V,VISO≥2500V(RMS),Tjm=125°C,dv/dt≥1000V/μS,di/dt≥100A/μS2.Rth(j-c)模块=1/4Rth(j-c)芯片 参考价面议