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说明:
1. ID=40A~800A, VDRM=VRRM=600V~2500V, VISO≥2500V(RMS),Tjm=125°C, dv/dt≥1000 V/μS,di/dt≥100 A/μS
Rth ( j-c )模块=1/6 Rth ( j-c )芯片; 型号 | VDRM VRRM | IDRM IRRM max | ID | TC | ITSM IFSM
10ms | I2t | VTM VFM | ITM IFM | IL Max | IH Max | VGT Max | IGT Max | VTO | rTO | Rth ( j-c ) | Rth (c-h ) | 外形代号 |
Tj=25°C | |||||||||||||||||
V | mA | A | °C | A | A2*S | V | A | mA | mA | V | mA | V | mΩ | °C/W | °C/W |
| |
MxS40 | 600~2500 | 10 | 40 | 85 | 610 | 1860 | 1.54 | 40 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.90 | 7.31 | 1.020 | 0.10 | W40L |
MxS60 | 600~2500 | 10 | 60 | 85 | 1290 | 6050 | 1.50 | 60 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.90 | 3.84 | 0.582 | 0.10 | W40L |
MxS100 | 600~2500 | 10 | 100 | 85 | 1390 | 9660 | 1.46 | 100 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.80 | 3.02 | 0.432 | 0.10 | W40L |
MxS160 | 600~2500 | 15 | 160 | 85 | 1780 | 15.8x103 | 1.50 | 160 | 250 | 100 | 2.5 | 100 | 0.80 | 2.49 | 0.330 | 0.05 | W64/W54O |
MxS200 | 600~2500 | 15 | 200 | 80 | 2460 | 62.6x103 | 1.51 | 200 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.80 | 2.07 | 0.300 | 0.05 | W64/W54O |
MxS300 | 600~2500 | 20 | 300 | 80 | 4800 | 104.8x103 | 1.60 | 300 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.90 | 1.40 | 0.192 | 0.05 | W64 |
MxS400 | 600~2500 | 20 | 400 | 80 | 6780 | 229.8x103 | 1.58 | 400 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.90 | 1.04 | 0.150 | 0.03 | W80 |
MxS500 | 600~2500 | 20 | 500 | 80 | 8100 | 328x103 | 1.60 | 500 | 400 | 200 | 2.5 | 200 | 0.90 | 0.86 | 0.120 | 0.03 | W80 |
MxS600 | 600~2500 | 30 | 600 | 75 | 8480 | 359.5x103 | 1.61 | 600 | 400 | 200 | 3.0 | 200 | 0.70 | 0.94 | 0.114 | 0.02 | W105 |
MxS700 | 600~2500 | 30 | 700 | 75 | 9840 | 484.1x103 | 1.62 | 700 | 400 | 250 | 3.0 | 250 | 0.70 | 0.82 | 0.096 | 0.02 | W105 |
MxS800 | 600~2500 | 30 | 800 | 75 | 11.2x103 | 627.2x103 | 1.65 | 800 | 400 | 250 | 3.0 | 250 | 0.70 | 0.72 | 0.084 | 0.02 | W105 |
适用电路及型号