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说明:
1. ID=30A~500A, VDRM=VRRM=600V~2500V, VISO≥2500V(RMS),Tjm=125°C, dv/dt≥1000 V/μS,di/dt≥100 A/μS
2. Rth ( j-c )模块=1/4 Rth ( j-c )芯片;
型号 | VDRM VRRM | IDRM IRRM max | ID | TC | ITSM IFSM
10ms | I2t | VTM VFM | ITM IFM | IL Max | IH Max | VGT Max | IGT Max | VTO | rTO | Rth ( j-c ) | Rth (c-h ) | 外形代号 |
Tj=25°C | |||||||||||||||||
V | mA | A | °C | A | A2*S | V | A | mA | mA | V | mA | V | mΩ | °C/W | °C/W |
| |
Mxx30 | 600~2500 | 10 | 30 | 85 | 570 | 1620 | 1.54 | 45 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.90 | 7.31 | 1.018 | 0.10 | W40L |
Mxx60 | 600~2500 | 10 | 60 | 85 | 1095 | 5995 | 1.50 | 90 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.90 | 3.84 | 0.584 | 0.10 | W40L |
Mxx100 | 600~2500 | 10 | 100 | 85 | 1560 | 12.2x103 | 1.48 | 150 | 250 | 100 | 2.0 | 100 | 0.80 | 2.72 | 0.376 | 0.10 | W40L/W64 |
Mxx150 | 600~2500 | 15 | 150 | 85 | 2680 | 35.9x103 | 1.52 | 225 | 250 | 100 | 2.5 | 100 | 0.80 | 1.92 | 0.244 | 0.05 | W64/W54O |
Mxx200 | 600~2500 | 15 | 200 | 80 | 4600 | 105.8x103 | 1.62 | 300 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.80 | 1.64 | 0.195 | 0.05 | W64/W54O |
Mxx250 | 600~2500 | 20 | 250 | 80 | 6780 | 229.8x103 | 1.60 | 375 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.85 | 1.14 | 0.149 | 0.05 | W64 |
Mxx300 | 600~2500 | 20 | 300 | 80 | 7800 | 304.2x103 | 1.58 | 450 | 300 | 150 | 2.5 | 150 | 0.75 | 1.06 | 0.128 | 0.02 | W64/W80 |
Mxx400 | 600~2500 | 30 | 400 | 80 | 8450 | 357x103 | 1.64 | 600 | 400 | 200 | 3.0 | 200 | 0.75 | 1.02 | 0.111 | 0.02 | W80 |
Mxx500 | 600~2500 | 30 | 500 | 80 | 9880 | 488x103 | 1.65 | 750 | 400 | 200 | 3.0 | 200 | 0.80 | 0.76 | 0.102 | 0.02 | W80 |