科研型原子层沉积系统ALD系芬兰picosun公司R-200 standard原子层沉积技术,具有的热壁设计和单独的入口，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。
科研型原子层沉积系统具有专有的Picoflow™技术，即使在挑战性的通孔，超高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 R-200 standard原子层沉积配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。
科研型原子层沉积系统ALD适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
科研型原子层沉积系统ALD技术指标

衬底尺寸和类型	50 – 200 mm /单片
	zui大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺）
	156 mm x 156 mm 太阳能硅片
	3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳）
	粉末与颗粒（配备扩散增强器）
	多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度	50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C）
基片传送选件	气动升降（手动装载）
	预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
前驱体	液态、固态、气态、臭氧源
	4根du立源管线，zui多加载6个前驱体源
	对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出
重量	350kg
尺寸（ W x H x D)）	取决于选件
	zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
	zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
选件	PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集
	成（用于惰性气体下装载）。
验收标准	标准设备验收标准为 Al2O3 工艺

应用领域
客户使用PICOSUN™ R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。

材料	非均匀性(1σ)
AI2O3 (batch)	0.13%
SiO2 (batch)	0.77%
TiO2	0.28%
HfO2	0.47%
ZnO	0.94%
Ta2O5	1.00%
TiN	1.10%
CeO2	1.52%
Pt	3.41%