First Sensor雪崩光电探测器-深圳维尔克斯光电有限公司手机版

详细介绍

高灵敏度，高增益，First Sensor雪崩光电二极管

First Sensor雪崩光电二极管 (APD) 是一种具有内部增益机制的光学探测器，能够实现高增益带宽积。得益于其灵敏度，雪崩光电探测器是检测超低光度的理想之选。First Sensor 提供单元件雪崩光电二极管以及具有多个有效探测区域的线性或矩阵雪崩光电二极管阵列。对激光测距仪，First Sensor 的雪崩光电二极管 (APD) 专门针对从蓝光 (400nm) 至红外 (1064nm) 波段的不同波长进行优化设计。8系列和9系列在 650nm 至 850nm 或 905nm 波段具有灵敏度，能够在诸多激光测距仪中使用。10系列特别适用于使用脉冲 Nd:YAG 1064nm 激光束源的所有应用领域。对激光扫描仪和激光雷达等能在纳秒级范围内基于反射时间过程使用不同强度光脉冲的测量系统，First Sensor提供配备宽宽带、宽动态范围放大器的高灵敏度雪崩光电二极管(APD)。为实现光学激光雷达系统所要求的高空间分辨率，First Sensor 开发出包含多个传感器元件的雪崩光电二极管阵列。针对矩阵阵列还提供额外的开发模块，可简化对探测器的检测。

10系列：近红外敏感增强型（1064nm波段）

该系列雪崩光敏二极管适用于激光测距仪和采用 YAG 激光器或类似近红外辐射源的任何应用领域。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）M=100	击穿电压（V）
3001157	AD500-9.5	TO5i	Ø 0.5 / 0.2	1.5	220-600
3001426	AD4000-10	TO8Si	Ø 4 / 12.56	50	220-600
3001064	AD4000-10	TO8S	Ø 4 / 12.56	50	280-500

10系列：四象限雪崩光电二极管（QA）

订购编码	型号	封装方式	特点
3001421	QA4000-10	TO8Si	四象限雪崩光敏二极管，850-1070nm波段较高的量子效率
3001284	QA4000-10	TO8S	四象限雪崩光敏二极管，850-1070nm波段较高的量子效率

First Sensor 雪崩光电探测器的产品系列：

APD 系列	适用波段	主要特点
Series 11	350~550nm	提升对蓝光增益，高速响应
Series 8r	620~750nm	对650nm优化，快速的上升沿时间，低电容，平坦的增益曲线
Series 8	750~820nm	高速响应，低温度系数，高增益带宽积
Series 9	750~930nm	在较高的近红外灵敏度处有着快速的上升沿时间，高增益
Series 9.5	800~950nm	在950nm波长范围有出色的响应，快上升沿时间，低暗电流
Series 10	900~1100nm	1064nm处的灵敏度接近物理极限

雪崩光电二极管的应用领域：

- 激光测距仪

- 激光扫描器 / 激光雷达

- 轮廓识别

- 碰撞警告

- 光通信

- 激光对准系统

- 闪烁体发光辐射的测量

- 光度测定

- YAG 激光辐射的测量

- 荧光测量

下面对每个系列的型号分别进行介绍。

11系列：蓝光敏感增强型雪崩光电二极管（600nm 波段）

蓝光敏感增强型雪崩光电探测器，该系列元器件在400nm波段的量子效率大于70%，在600nm波段具有灵敏度，因此特别适用于生物医学应用领域。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）3.5V	击穿电压/V	上升时间（ns）M=100, 410nm, 50Ω
3001356	AD800-11	TO52	Φ0.8 / 0.5	1	160-200	50

8r系列：红/绿敏感增强型雪崩光电二极管（650nm 波段）

8r系列在红绿光波长范围具有高灵敏度，在650nm波段，该系列雪崩二极管非常适合要求有快速上升时间和低电容的设备，如激光测距仪，激光扫描仪，高速测光仪以及光纤通信等。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）M=100	击穿电压/V	上升时间（ns）M=100, 650nm, 50Ω
3001262	AD230-8r	TO52S1.1	Ø 0.23 / 0.04	0.2	80-160	0.180
3001263	AD230-8r	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.2	80-160	0.180

8系列：针对高截止频率进行优化设计（650nm至850nm 波段）

得益于高增益和高速的特性，该系列雪崩光电探测器适用于众多工业应用领域，其中包括距离测量、激光扫描、光通信等。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）M=100	击穿电压(V)	上升时间（ns）M=100, 905nm, 50Ω
3001486	AD100-8	LCC6.1	Ø 0.1 / 0.008	0.05	80-120	<0.180
3001340	AD100-8	TO52S1	Ø 0.1 / 0.008	0.05	80-120	<0.180
3001401	AD230-8	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80-120	0.18
3001341	AD230-8	TO52S1	Ø 0.23 / 0.04	0.3	80-120	0.18
3001399	AD500-8	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80-120	0.35
3001349	AD500-8	TO52S1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	80-120	0.35

另提供内置带通滤波器（BP）的芯片备选

订购编码	型号	封装方式	有效区域尺寸（mm）	带通波长（nm）	带通透过率(%)	带通半高全宽(nm)
3001488	AD100-8	LCC6.1f	Ø 0.1	635	>90	55
3001405	AD230-8	LCC6.1f	Ø 0.23	635	>90	55
3001396	AD500-8	LCC6.1f	Ø 0.5	635	>90	55

9系列：近红外光敏感增强型雪崩光电二极管（900nm波段）

该系列雪崩光电探测器专门针对激光雷达 (LIDAR) 系统和激光测距仪而设计，提供用于阵列开发的基本技术，并配备多款传感器供选。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）M=100	击穿电压(V)	上升时间（ns）M=100, 905nm, 50Ω
3001345	AD230-9	TO52S1	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240	0.5
3001415	AD230-9	LCC6.1	Ø 0.23 / 0.04	0.5	160–240	0.5
3001351	AD500-9	TO5251	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240	0.55
3001413	AD500-9	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.8	160–240	0.55

另提供内置带通滤波器（BP）的芯片备选

订购编码	型号	封装方式	有效区域尺寸（mm）	带通波长（nm）	带通透过率(%)	带通半高全宽(nm)
3001429	AD230-9	TO52S1F2	Ø 0.23	905	>90	45
3001493	AD230-9	LCC6.1f	Ø 0.23	905	>90	45
3001380	AD500-9	TO52S1F2	Ø 0.5	905	>90	45
3001495	AD500-9	LCC6.1f	Ø 0.5	905	>90	45

9系列：四象限雪崩光电二极管（QA）

订购编码	型号	封装方式	特点
3001214	QA4000-9	TO8Si	在760-910nm波段量子效率大于80%

9系列：多元阵列

订购编码	型号	封装方式	特点
3001188	8AA0.4-9	SOJ22GL	含8个元件，在760-910nm波段量子效率大于80%（含NTC)
3001187	16AA0.13-9	SOJ22GL	16个元件，在760-910nm波段量子效率大于80%（含NTC)
3001411	16AA0.4-9	SOJ22GL	16个元件，在760-910nm波段量子效率大于80%

9.5系列：近红外敏感增强型（950nm波段）

该系列雪崩光敏二极管专门针对激光测距和激光扫描而开发，可应用于安检扫描、3D 测量、环境监测和高分辨率的激光雷达（LIDAR）系统等设备中。以 9.5 系列的技术为基础，可根据客户的需求提供不同的外形、封装以及传感器阵列等定制产品。

订购编码	型号	封装方式	有效面积尺寸（mm）/面积（mm²）	暗电流（nA）M=100	击穿电压（V）	上升时间（ns）M=100, 905nm, 50Ω
3001241	AD500-9.5	LCC6.1	Ø 0.5 / 0.2	0.5	260-340	1.6

产品简介

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