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PIN光电二极管，光电探测器，高灵敏度，低暗电流
First Sensor致力于研发各类具有高灵敏度和低暗电流的光电二极管系列产品，材料与加工工艺可根据具体客户的具体产品需求进行调整，以此优化产品参数，其中包括但不限于波长、速度和容量下的灵敏度。我们致力于为您找到您具体应用需求的理想技术。
6b系列，蓝绿光敏感型光电二极管：
蓝色光谱范围内敏感增强型PIN 光电二极管
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 暗电流（nA）5V | 上升时间（ns）410nm 5V 50Ω |
| 3001225 | PS13-6b | TO5 | 3.5×3.5 / 13 | 0.25 | 50 |
| 5000025 | PS100-6b | CERpinS | 10×10 / 100 | 1 | 200 |
6系列，具有超低暗电流的红外光电二极管：
高性能PIN光电二极管，可用于检测低电容光子及α、β、γ和X射线辐射
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 暗电流（nA）3.5V | 上升时间（ns）850nm 10V 50Ω |
| 3001208 | PC10-6 | TO5 | Ø3.57 / 10 | 0.2 | 20 |
| 3001047 | PC20-6 | TO8 | Ø5.05 / 20 | 0.3 | 25 |
| 3001054 | PS100-6 | CERpinG | 10×10 / 100 | 1 | 40 |
6系列/四象限PIN光电二极管：
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | Gap（μm）150V | 暗电流（nA）3.5V | 电容（pf）10V | 上升时间（ns）850nm 10V 50Ω |
| 5000029 | QP1-6 | TO52 | Ø1.13 / 4x0.25 | 16 | 0.1* | 1 | 20 |
| 3004334 | PC20-6 | TO8 | Ø 7.8 / 4x12.5 | 42 | 2.0* | 25 | 40 |
| 3001232 | PS100-6 | CERpinG | 10x10 / 4x25 | 50 | 4.0* | 50 | 40 |
*每一部分
5系列，近红外光敏感型高速光电二极管：
该系列外延式高速光电二极管可成为低工作电压领域可见光与近红外应用的理想之选。
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 暗电流（nA）3.5V | 上升时间（ns）405nm 3.5V 50Ω |
| 3001393 | PS0.25-5 | LCC6.1 | 0.5×0.5 / 0.25 | 0.1 | 0.4 |
| 3001048 | PS0.25-5 | SMD1206 | 0.5×0.5 / 0.25 | 0.1 | 0.4 |
Q系列，1064nm波段光电二极管：
该系列外延式高速光电二极管可成为低工作电压领域可见光与近红外应用的理想之选。
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 暗电流（nA）150V | 上升时间（ns）1064nm 150V 50Ω |
| 5000032 | PS100-Q | LCC10G | 10×10 / 100 | 80 | 14 |
Q系列/四象限PIN光电二极管：
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 暗电流（nA）150V | 上升时间（ns）1064nm 180V 50Ω |
| 3001177 | QP22-Q | TO8S | Ø5.3 / 4×5.7 | 1.5* | 12 |
| 3001275 | QP45-Q | TO8Si with heater | 6.7×6.7 / 4×10.96 | 8* | 12 |
| 3001431 | QP100-Q | LCC10G | 10×10 / 4×25 | 6.5* | 12 |
| 3001386 | QP154-Q | TO1032i | Ø14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| 3001433 | QP154-Q | TO1081i with heater | Ø14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
| 3001434 | QP154-Q | TO1081i with heater | Ø14.0 / 4×38.5 | 10* | 12 |
*每一部分
i系列/InGaAs 铟镓砷探测器：低暗电流、高灵敏度
First Sensor 提供大面积铟镓砷 PIN (InGaAs PIN) 光电二极管，其活性传感器表面直径可达 3mm。该系列二极管具有低暗电流和高灵敏度（可达 1700nm 波长）的特点。另提供用于可见光波长范围的增强型版本。外壳提供TO 解决方案和SMD 封装方式备选。
| 订购编码 | 型号 | 封装方式 | 有效面积尺寸（mm）/面积（mm2） | 光谱响应（A/W）650nm/1550nm | 暗电流（nA）5V | 电容（pf）5V |
| 3001210 | PC0.7-i | LCC6.1 | 1.0 / 0.7 | 0.05 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001212 | PC0.7-i | TO52S1 | 1.0 / 0.7 | 0.05 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001211 | PC0.7-ix | LCC10G | 1.0 / 0.7 | 0.3 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001213 | PC0.7-ix | TO1032i | 1.0 / 0.7 | 0.3 / 0.95 | 2 | 70 |
| 3001228 | PC7.1-i | TO5i | 3.0 / 7.1 | 0.05 / 0.95 | 25 | 700 |
德国First Sensor PIN光电探测器的原理是将光转换成电压（光电效应）或光电流的半导体部件。硅半导体中的P-N结是实现该过程的物理基础。具有足够能量的光子被探测器吸收后会形成光生载流子（电子空穴对）。光生载流子在空间电荷区完成分离后产生光电流。
在不施加外部电压的情况下亦可分离光生载流子。该过程可采用反向电压加速进程。如果不在饱和状态下运行二极管，则光电流与吸光度值能够在多个数量级维持线性关系。
根据外部连接方式，我们将运行状态分为两类：元件运行和二极管运行。在元件运行状态下，二极管直接连接至电器终端，无需使用外部电压源。在此种工作状态下，系统无暗电流产生，便于检测最小强度变化。
在二极管运行状态下，外部电压源与电器终端串行连接，向二极管施加反向电压。在要求实现快速信号响应之应用领域，此种运行模式不啻为理想之选。但其主要缺点是暗电流会随温度升高而呈指数增长。
PIN光电二极管在P型半导体和N型衬底之间加入一层本征半导体层，形成本征半导体区（通常为空间电荷区）然而，该术语词亦可用于具有逆导电性的元器件，但其前提是该元器件未涉及其他非线性效应。
First sensor PIN光电二极管的产品系列：
- Series 6b，350-650nm，蓝绿光敏感PIN光电二极管；低电容，超低暗电流，长期稳定的检测性能
- Series 6，700-1000nm，超低暗电流的红外PIN光敏二极管；高击穿电压；专门针对光伏与光导应用，可用于检测低电容光子及α、β、γ和X射线辐射。
- Series 5，500-900nm，近红外光敏型高速光电二极管；具有外延层结构，可在低反向电压下加快上升时间；通过优化外延层厚度，有助于在800nm波段实现速度与灵敏度；高工作温度下可保持低暗电流。
- Series Q，900-1100nm，四象限PIN光电二极管，1064nm增强型光电二极管，低电压，低电容。
- Series i，900-1700nm，InGaAs铟镓砷探测器，低暗电流，高灵敏度。
PIN光电探测器的应用领域：
- 光度测定
- 光脉冲测量
- 分析仪
- 荧光测量
- 光谱学
- 光通信
- 激光功率测量
- 光纤光度计
- 条码读取设备
- YAG激光辐射的测量
