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SiTek位敏探测器PSD，高分辨率，位置非线性±0.1%和±0.3%
适用于所有一维/二维位敏探测器SiTek的通用数据：
- 典型热漂移：1L(一维)系列为20 ppm/°C，2L(二维)系列为40ppm/°C
- 偏置电压：5-20V
- 工作温度：70°C
- 存储温度：100°C
一维/二维位敏探测器SiTek规格数据是在以下条件下测量的：
- 偏压=15V
- 温度23°C
- 位置非线性和热漂移的测量范围为探测器长度的80%
- 热漂移的测量范围为23°C至70°C
- 除非另有说明，否则所有数值均为典型值
- 有关详细数据，请参阅各数据表
一维/二维位敏探测器SiTek是在偏置模式下工作，一维位置感应探测器和SiTek二维PSD的位置非线性分别是±0.1%和±0.3%，PSD探测器主要应用于距离和高度测量、校准、位置和运动测量等。
瑞典SiTek在生产位置感应探测器方面具有几十年的经验，注重分辨率、线性度和品质，很受客户的青睐。位置感应探测器(Position Sensing Detector, PSD)，也叫位置传感器PSD，是一种光电设备，可将入射光点转换为连续的位置数据。一维/二维位敏探测器SiTek具有分辨率高、响应速度快、线性度好的特点，适用于各种光强，而且操作电路简单。
SiTek探测器主要有两种类型：一维和二维。SiTek位敏探测器PSD根据侧面效应光电二极管原理工作，具有出色的位置分辨率。PSD位敏探测器(一维/二维)分辨率由系统信噪比决定，而且是在偏置模式下工作。另外，SiTek还可提供特殊的紫外UV或YAG增强型和核型版本(Nuclear versions)。
图1：PSD位敏探测器(一维/二维)图示
SiTek位敏探测器PSD的特点：
- 将光点或辐射点的位置转换为信号电流
- PSD探测器具备出色的位置分辨率和线性度
- 光谱响应范围广
- 可在各种光照或辐射强度下工作
- 响应时间短
- 同时测量光或辐射强度的位置
- 不受光点或辐射点聚焦的影响
- 动态范围广
SiTek位敏探测器PSD的应用：
- 距离和高度测量
- 校准、位置运动测量和振动研究
- 非接触式距离测量系统（三角测量法）
- 校准和表面水平测量
- 定位和运动测量系统
- 光学光谱分析仪
- 三维机器视觉（轮廓映射）
- 角度测量系统
一维位敏探测器(1-dimensional PSD)快速参考数据规格表：
- 位置非线性：±0.1%
- 探测器电阻：50kohm
| Part.NO | 型号 | 有效面积(mm) | 漏电流(nA) Leakage current | Noise干扰电流pA/Hz | 电容(pF) | 上升时间(10-90%)(µs) | 标准封装 |
| S1-0001 | 1L2.5_CP2 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14针 DIL |
| S1-0065 | 1L2.5_CP1 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 4针 DIL |
| S1-0003 | 1L5_CP2 | 5.0x1.0 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 14针 DIL |
| S1-0009 | 1L5_CP1 | 5.0x1.0 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 4针 DIL |
| S1-0005 | 1L10_CP2 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | 14针 DIL |
| S1-0236 | 1L10_SU70 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | SMD |
| S1-0006 | 1L20_CP3 | 20x3 | 60 | 0.5 | 45 | 0.5 | 22针 DIL |
| S1-0007 | 1L30_SU2 | 30x4 | 150 | 0.7 | 90 | 1 | 基底 |
| S1-0247 | 1L45_SU69 | 45x3 | 110 | 0.4 | 105 | 2.7 | 基底 |
| S1-0248 | 1L60_SU34 | 60x3 | 150 | 0.4 | 135 | 4.5 | 基底 |
消除杂散光的SiTek一维PSD：
- 位置非线性：±0.1%
- 探测器电阻：200kohm
| Part.NO | 型号 | 有效面积(mm) | 漏电流(nA) Leakage current | Noise干扰电流pA/Hz | 电容(pF) | 上升时间(10-90%)(µs) | 标准封装 |
| S1-0090 | 1L5NT_CP1 | 5x0.25 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 4针 DIL |
| S1-0066 | 1L5NT_CP2 | 5x0.25 | 4 | 0.3 | 5 | 0.25 | 14针 DIL |
| S1-0067 | 1L10NT_CP2 | 10x0.5 | 8 | 0.3 | 15 | 0.7 | 14针 DIL |
带有增强UV响应的SiTek一维位置感应探测器:
| Part.NO | 型号 | 有效面积(mm) | 漏电流(nA) Leakage current | Noise干扰电流pA/Hz | 电容(pF) | 上升时间(10-90%)(µs) | 标准封装 |
| S1-0072 | 1L2.5UV_CP2 | 2.5x0.6 | 2 | 0.4 | 1.6 | 0.03 | 14针 DIL |
| S1-0032 | 1L5UV_CP2 | 5x1 | 4 | 0.4 | 5 | 0.05 | 14针 DIL |
| S1-0073 | 1L10UV_CP2 | 10x2 | 8 | 0.4 | 15 | 0.2 | 14针 DIL |
| S1-0074 | 1L20UV_CP3 | 20x3 | 50 | 0.5 | 45 | 0.5 | 14针 DIL |
| S1-0034 | 1L30UV_SU2 | 30x4 | 150 | 0.5 | 90 | 1 | 基底 |
二维位敏探测器(2-dimensional PSD)快速参考数据规格表：
- 位置非线性：±0.3%
- 探测器电阻：10kohm
| Part.NO | 型号 | 有效面积(mm) | 漏电流(nA) Leakage current | Noise干扰电流pA/Hz | 电容(pF) | 上升时间(10-90%)(µs) | 标准封装 |
| S2-0001 | 2L2_MP1 | 2x2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | TO-8 |
| S2-0032 | 2L2_CP4 | 2x2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | 4针 陶瓷 |
| S2-0002 | 2L4_MP1 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | TO-8 |
| S2-0024 | 2L4_CP5 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | 4-陶瓷 |
| S2-0184 | 2L4_SU71 | 4x4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | SMD |
| S2-0003 | 2L10_SU7 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 基底 |
| S2-0033 | 2L10_CP6 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 4针 陶瓷 |
| S2-0185 | 2L10_SU72 | 10x10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | SMD |
| S2-0004 | 2L20_SU9 | 20x20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 基底 |
| S2-0023 | 2L20_CP7 | 20x20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 4针 陶瓷 |
| S2-0196 | 2L45_SU24 | 45x45 | 400 | 1.5 | 1600 | 7.0 | 基底 |
带有增强UV响应的SiTek二维PSD：
| Part.NO | 型号 | 有效面积(mm) | 漏电流(nA) Leakage current | Noise干扰电流pA/Hz | 电容(pF) | 上升时间(10-90%)(µs) | 标准封装 |
| S2-0030 | 2L2UV_MP1 | 2 x 2 | 50 | 1.3 | 7 | 0.03 | TO-8 |
| S2-0006 | 2L4UV_MP1 | 4 x 4 | 50 | 1.3 | 20 | 0.08 | TO-8 |
| S2-0016 | 2L10UV_SU7 | 10 x 10 | 100 | 1.3 | 90 | 0.4 | 基底 |
| S2-0034 | 2L20UV_SU9 | 20 x 20 | 200 | 1.5 | 360 | 1.6 | 基底 |
